[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：

源线，该源线形成在基板的上方；

沟道图案，该沟道图案包括设置在所述源线上方的连接部和沿着第一方向从所述连接部突出的柱部；

阱结构，该阱结构沿着所述第一方向从所述连接部突出，沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且与所述源线分隔开；

源接触结构，该源接触结构沿着所述第一方向从所述源线突出，沿着所述第二方向延伸，并且穿过所述连接部；以及

栅极堆叠物，该栅极堆叠物设置在所述源接触结构和所述阱结构之间并且在所述连接部上方包围所述柱部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括绝缘分隔件，所述绝缘分隔件设置在所述栅极堆叠物和所述阱结构之间以及所述栅极堆叠物和所述源接触结构之间，

其中，所述阱结构和所述源接触结构朝向所述源线比所述绝缘分隔件突出的更多。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源接触结构包括水平延伸部，所述水平延伸部朝向所述沟道图案的所述连接部侧向突出并且与对应的所述绝缘分隔件交叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述源线包含第一导电类型掺杂物；并且

与所述沟道图案的所述连接部接触的所述阱结构的至少一部分包括与所述第一导电类型掺杂物不同的第二导电类型掺杂物。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述第一导电类型掺杂物是n型掺杂物；并且

所述第二导电类型掺杂物是p型掺杂物。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述源接触结构包括：源接触层，该源接触层沿着所述第一方向从所述源线延伸并且被形成为低于所述栅极堆叠物；以及金属层，该金属层联接至所述源接触层；

所述源接触层包括未掺杂区和虚设接触区；

所述虚设接触区被限定为在所述源接触层的上端部中的散布有第二导电类型掺杂物的区域；并且

所述金属层与所述虚设接触区接触并且沿着所述第一方向延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述源接触层包括与所述源线和所述沟道图案的所述连接部接触的下端部；

在所述源线和所述源接触层的下端部中散布有第一导电类型掺杂物；并且

所述未掺杂区保留在所述源接触层的下端部和所述虚设接触区之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阱结构包括：

阱掺杂层，该阱掺杂层与所述沟道图案的连接部接触并且沿着所述第一方向延伸，所述阱掺杂层被形成为低于所述栅极堆叠物并且包含第一浓度的第二导电类型掺杂物；

欧姆接触区，该欧姆接触区被限定在所述阱掺杂层的上端部中并且包括第二浓度的所述第二导电类型掺杂物，所述第二浓度高于所述第一浓度；以及

金属层，该金属层与所述欧姆接触区接触并且沿着所述第一方向延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述阱结构还包括由所述阱掺杂层包围的未掺杂半导体层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括放电晶体管，该放电晶体管设置在所述基板和所述源线之间并且联接至所述源线，以确定是否将所述源线的电压放电。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

位线，该位线与所述沟道图案的所述柱部联接；以及

阱拾取线，该阱拾取线联接至所述阱结构，以向所述阱结构供应阱电压。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述阱拾取线和所述位线设置在同一层上。