[发明专利]极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜

权利要求书

1.一种反射型掩膜，其包含：

一反射型图案；

一吸收剂图案，埋藏在该反射型图案内，该吸收剂图案的顶面是在或低于该反射型图案的顶面；以及

多个凹井，各凹井具有被一实质水平表面分离的实质垂直表面，其中，该吸收剂图案覆盖整个该实质垂直表面，且覆盖该实质水平表面的该吸收剂图案低于该反射型图案的该顶面。

2.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该反射型图案包括从一低热膨胀材料(LTEM)衬底延伸的多个反射型堆叠。

3.如权利要求2所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个反射型堆叠中的每一者具有一钌(Ru)帽盖。

4.如权利要求2所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个反射型堆叠中的每一者包括至少一钼层与一硅层。

5.如权利要求2所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案包括在该多个反射型堆叠中的一对之间从该低热膨胀材料衬底延伸的一吸收剂堆叠，其中，该吸收剂图案覆迭一填充材料于该多个反射型堆叠之间。

6.如权利要求5所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂堆叠包括在该填充材料上面的一吸收剂层及一抗反射涂层。

7.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案包括覆迭一填充材料的一抗反射涂层。

8.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案包括从一低热膨胀材料(LTEM)衬底延伸的多个吸收剂堆叠，各吸收剂堆叠在一对反射型堆叠之间水平地延伸。

9.如权利要求8所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个吸收剂堆叠各自包括一填充材料、一吸收剂层及一抗反射涂层。

10.如权利要求1所述的反射型掩膜，其中，埋藏在该反射型图案内的该吸收剂图案包括衬里该多个凹井的该实质垂直表面及该实质水平表面的一吸收剂层。

11.如权利要求10所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个凹井各具有在100至150纳米之间的一深度。

12.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案对于入射光波具有实质零反射率。

13.一种反射型掩膜，其包含：

一低热膨胀材料(LTEM)衬底；

一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自具有从该低热膨胀材料衬底延伸到一第一限度的一第一顶面；

一填充堆叠，在该对反射型堆叠之间，该填充堆叠具有从该低热膨胀材料衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度，其中，该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁；以及

一吸收剂层，衬里该凹井，其中该吸收剂层覆盖整个该凹井的该实质垂直壁，且覆盖该填充堆叠的该第二顶面的该吸收剂层低于该对反射型堆叠的该第一顶面。

14.如权利要求13所述的反射型掩膜，更包含在该凹井中衬里该吸收剂层的一抗反射涂层。

15.如权利要求13所述的反射型掩膜，其特征在于，该对反射型堆叠中的每一者在其上面具有一钌(Ru)帽盖。

16.如权利要求13所述的反射型掩膜，其特征在于，该对反射型堆叠各自包括至少一钼层与一硅层。

17.如权利要求13所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂层具有零反射率而与该反射型堆叠建立一二元掩膜。