[发明专利]极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜

说明书

本发明涉及极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜，其提供一种有埋藏吸收剂图案的反射型掩膜。该反射型掩膜可包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底。可包括一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自具有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面。一填充堆叠在该对反射型堆叠之间，该填充堆叠具有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度。该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁。衬里该凹井的一吸收剂层。

技术领域

本揭示内容大体涉及一种微影掩膜，且更特别的是，涉及一种极紫外光微影反射型掩膜(extreme ultraviolet lithography reflective mask)及其制法。

背景技术

典型EUV光掩膜建立有图案化于反射型堆叠上面的吸收剂层的掩膜图案。以对于法线有一角度地照射EUV光掩膜以便将掩膜图案反映到晶圆上。EUV掩膜的非正交照射造成与入射光束垂直的线路的阴影效应(shadowing)。此外，出现远心误差(telecentricityerror)的结果为通过聚焦而发生的图案偏移。再者，有由于反射型堆叠的反射型掩膜涂层的阳极化引起的影像对比损失。

发明内容

本揭示内容的第一方面提供一种反射型掩膜，其具有一反射型图案，以及埋藏在该反射型图案内的一吸收剂图案(absorber pattern)，其中该吸收剂图案的顶面是在或低于该反射型图案的顶面。

本揭示内容的第二方面提供一种反射型掩膜，其包括：一低热膨胀材料(lowtermal expansion material；LTEM)衬底；一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面；在该对反射型堆叠之间的一填充堆叠(fillstack)，该填充堆叠有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度，其中该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井(recess well)，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁；以及衬里(line)该凹井的一吸收剂层。

本揭示内容的第三方面提供一种方法，其包括：沉积一填充材料于经极紫外光(EUV)蚀刻掩膜上，该经EUV蚀刻掩膜包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底、一对反射型堆叠以及在该对反射型堆叠之间暴露该LTEM衬底的一沟槽，该填充材料填充该沟槽；通过蚀刻该填充材料来形成一凹井；沉积一吸收剂层于该对反射型堆叠上面及于该凹井中，其中在该凹井内留有一间隙；沉积一牺牲性填充材料于该吸收剂层上面且填充该间隙；平坦化该牺牲性填充材料到该对反射型堆叠的顶面；以及移除在该间隙中的该牺牲性填充材料。

本揭示内容的解释性方面经设计成可解决描述于本文的问题及/或未被论及的其他问题。

附图说明

由以下本揭示内容各方面结合描绘本发明各种具体实施例的所附图式的详细说明可更加明白本揭示内容以上及其他的特征，其中：

图1的横截面图图示可使用于极紫外光微影(EUVL)制程的先前技术微影掩膜的一部分。

图2的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于制造阶段的初始掩膜结构。

图3的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。

图4的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。

图5的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。

图6的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。

图7的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。