[发明专利]一种用于高分子薄膜的高压电极化系统

权利要求书

1.一种用于高分子薄膜的高压电极化系统，其特征在于用于高分子薄膜的高压电极化系统由高压极化电源(1)、高压电极(2)、极化电场组件、薄膜极化组件和加热装置(8)组成；所述极化电场组件由极化平板上电极(3)和极化平板下电极(7)组成；所述高压极化电源(1)上外接有高压电极(2)，所述薄膜极化组件由主极化硅片(4)和底板极化硅片(6)组成；所述高压电极(2)位于极化平板上电极(3)的上方，所述极化平板上电极(3)的下方依次设置主极化硅片(4)、底板极化硅片(6)、极化平板下电极(7)和加热装置(8)，所述主极化硅片(4)和底板极化硅片(6)之间设置待极化样品(5)；所述极化平板上电极(3)、主极化硅片(4)、待极化样品(5)、底板极化硅片(6)、极化平板下电极(7)和加热装置(8)的几何中心位于高压电极(2)的中轴上；所述主极化硅片(4)和底板极化硅片(6)的材质均为工业级抛光的重掺杂硅片；所述底板极化硅片(6)采用未刻蚀加工完整的硅片；

所述用于高分子薄膜的高压电极化系统的具体实施方法如下：按照待极化样品(5)确定的极化大小和极化区域对极化区域外的主极化硅片(4)进行刻蚀；对主极化硅片(4)刻蚀过程中，首先用纯净水清洗硅片表面，然后将待刻蚀表涂抹光刻胶，进行前烘、曝光、后烘、显影处理，然后进行刻蚀；

按照主极化硅片(4)的外围尺寸对底板极化硅片(6)进行划片，保证薄膜极化组件形成的高压电场能够足够覆盖需要极化区域；

极化过程前，需将主极化硅片(4)、底板极化硅片(6)、待极化样品(5)，分别用酒精和去离子水进行超声清洗后，将待极化样品(5)夹在主极化硅片(4)、底板极化硅片(6)中间，同时需确认主极化硅片(4)、底板极化硅片(6)无直接接触；

极化过程中首先将极化设备抽真空，控制加热装置(8)待极化样品(5)加热到需要极化的温度，当真空达到极化要求时，通高压进行极化； 极化后待样品冷却取出样品；

当高分子薄膜为PVDF时，待极化样品(5)厚度为30μm；极化电压1500V；极化温度：90℃；极化时间30分钟；极化真空度2.5×10^-4Pa。