[发明专利]一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺

权利要求书

1.一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)预清洗：取APM溶液250g-300g加入到容积为150-180升的工艺槽中，向工艺槽中加入140-150升的清洗液，保持温度在45-55度之间，对单晶硅片进行喷淋，然后采用去离子水循环冲洗；

2)脱胶：采用JG-JT全自动硅片脱胶机，其中喷淋压力0.015-0.017兆帕，乳酸使用寿命90刀，隔板放置间距50-80mm；

3)超声波清洗：采用超声波清洗机，超声频率为40KHZ，加入清洗剂90-100升，清洗槽温度在40-55度之间，清洗时间4-6分钟；

4)有机溶剂清洗：采用丙酮溶液投入到清洗槽内部，清洗10分钟，然后用去离子水循环冲洗；

5)SPM清洗：采用SPM清洗液120-130升，保持温度在550-600度之间，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗；

6)HPM清洗：采用HPM清洗液120-130升，保持温度在570度左右，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗；

7)烘干：可采用烘干或甩干进行干燥。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述APM溶液也称SCL，清洗液由NH4OH、H2O2和H2O按照15：15：70的比例混合而成。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述单晶硅片脱胶前的喷淋时间在三十分钟以上。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述清洗剂更换周期为清洗7500-8500片。

5.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述SPM清洗液由H2SO4、H2O2和H2O按照20:5:75的比例混合而成。

6.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述HPM清洗液由HCL、H2O2和H2O按照10:10:80的比例混合而成。

7.一种单晶硅片的处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)对单晶硅片进行前处理，加入APM溶液进行清洗，保持温度在45-55度之间，对单晶硅片进行喷淋，喷淋时间在三十分钟以上，去除其表面的颗粒状杂质，然后采用去离子水进行循环冲洗，收集清洗后的单晶硅片，备用；

2)取步骤1)中留作备用的单晶硅片，使用JG-JT全自动硅片脱胶机进行单晶硅片表面的脱胶，收集脱胶完成后的单晶硅片，投放带超声波清洗机中，加入清洗剂，保持清洗机内部温度在40-55度之间，清洗4-6分钟，收集清洗后的单晶硅片，备用；

3)取步骤2)中留作备用的单晶硅片，放置到清洗槽内，向清洗槽内投放丙酮溶液，清洗十分钟，然后用去离子水循环冲洗，收集清洗后的单晶硅片，备用；

4)取步骤3)中留作备用的单晶硅片，投放SPM清洗液，将温度保持在550-600度之间，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗，收集清洗后的单晶硅片，投放HPM清洗液，保持温度在570度左右，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗，收集清洗后的单晶硅片，备用；

5)取步骤4)中留作备用的单晶硅片，采用烘干或甩干进行干燥，由此得到较为纯净的单晶硅片。