[发明专利]一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺

说明书

本发明涉及单晶硅片技术领域，且公开了一种单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：取APM溶液250g‑300g加入到容积为150‑180升的工艺槽中，向工艺槽中加入140‑150升的清洗液，保持温度在45‑55度之间，对单晶硅片进行喷淋，然后采用去离子水循环冲洗。该单晶硅片的清洗方法的处理工艺，通过APM溶液能去除单晶硅片表面的粒子、部分有机物和部分金属，有效的对单晶硅片进行初步的清洗，方便了后续的清洗作业，通过采用JG‑JT全自动硅片脱胶机以及超声波清洗机进行脱胶以及清洗，能够有效的破坏污物与单晶硅片表面吸附，有效的对单晶硅片进行清理，解决了传统清洗方法大多只是对其表表面的颗粒状杂质进行清理，并不能保证单晶硅片表面的清洁的问题。

技术领域

本发明涉及单晶硅片技术领域，具体为一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺。

背景技术

单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，纯度要求极高，用于制造半导体器件和太阳能电池等，是用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅，单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性，超纯的单晶硅是本征半导体。

根据公布号为CN 103087850 B的一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法，该预清洗方法不会在硅片表面生产气泡印，并且不会漂篮，不会产生明显的界限，由于降低了碱的浓度，减薄量也有效的降低，有利于降低后道工序电池片的碎片率，但是该方法只是对单晶硅片进行预处理，并不能够对单晶硅片表面进行深度的清理，传统清洗方法大多只是对其表表面的颗粒状杂质进行清理，并不能保证单晶硅片表面的清洁，现提出一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺来解决上述问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法，具备对单晶硅片表面进行有效的清理等优点，解决了传统清洗方法大多只是对其表表面的颗粒状杂质进行清理，并不能保证单晶硅片表面的清洁的问题。

(二)技术方案

为实现上述对单晶硅片表面进行有效的清理的目的，本发明提供如下技术方案：一种单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：

1)预清洗：取APM溶液250g-300g加入到容积为150-180升的工艺槽中，向工艺槽中加入140-150升的清洗液，保持温度在45-55度之间，对单晶硅片进行喷淋，然后采用去离子水循环冲洗；

2)脱胶：采用JG-JT全自动硅片脱胶机，其中喷淋压力0.015-0.017兆帕，乳酸使用寿命90刀，隔板放置间距50-80mm；

3)超声波清洗：采用超声波清洗机，超声频率为40KHZ，加入清洗剂90-100升，清洗槽温度在40-55度之间，清洗时间4-6分钟；

4)有机溶剂清洗：采用丙酮溶液投入到清洗槽内部，清洗10分钟，然后用去离子水循环冲洗；

5)SPM清洗：采用SPM清洗液120-130升，保持温度在550-600度之间，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗；

6)HPM清洗：采用HPM清洗液120-130升，保持温度在570度左右，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗；

7)烘干：可采用烘干或甩干进行干燥。

优选的，所述APM溶液也称SCL，清洗液由NH4OH、H2O2和H2O按照15：15：70的比例混合而成。

优选的，所述单晶硅片脱胶前的喷淋时间在三十分钟以上。

优选的，所述清洗剂更换周期为清洗7500-8500片。