[发明专利]存储器系统及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201810329839.8 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN109388514B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 李宣周;文敏焕 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;赵赫
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储器系统的操作方法,其中所述存储器系统包括存储器装置和控制所述存储器装置的存储器控制器,所述存储器装置包括多个物理页面,其中由所述存储器控制器排队的多个命令中的每一个被称为标签,所述方法包括:

使用默认读取电压执行对应于第一标签的读取操作;

执行对应于所述第一标签的防御码操作,其中所述防御码操作包括读取重试操作;以及

使用对应于所述第一标签的所述防御码操作的结果执行对应于第二标签的读取操作,

其中,对所述多个物理页面之中的第一物理页面执行所述第一标签,

其中,对所述多个物理页面之中的第二物理页面执行所述第二标签,

其中,所述第一物理页面和所述第二物理页面包含在相同的存储块中,以及

其中,执行对应于所述第一标签的所述防御码操作包括:

使用分别从所述默认读取电压改变得到的改变的读取电压读取存储在所述第一物理页面中的数据;以及

基于使用所述改变的读取电压从所述第一物理页面读取的所述数据中包括的‘1’的数量与‘0’的数量的比例,将所述比例与参考值进行比较,并基于所述比较结果计算最优读取电压。

2.根据权利要求1所述的方法,其中执行对应于所述第一标签的所述读取操作包括:

使用所述默认读取电压读取存储在所述第一物理页面中的数据;和

使用所述默认读取电压对从所述第一物理页面读取的所述数据执行错误校正操作。

3.根据权利要求2所述的方法,其中执行对应于所述第一标签的所述防御码操作还包括:

使用所述最优读取电压读取存储在所述第一物理页面中的数据;和

使用所述最优读取电压对从所述第一物理页面读取的所述数据执行所述错误校正操作。

4.根据权利要求3所述的方法,

其中所述改变的读取电压分别大于或小于所述默认读取电压以恒定的偏移量。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在执行对应于所述第一标签的所述防御码操作之前,使用默认读取电压执行对应于所述第二标签的读取操作。

6.根据权利要求3所述的方法,其中执行对应于所述第二标签的所述读取操作包括:

使用所述最优读取电压读取存储在所述第二物理页面中的数据;和

使用所述最优读取电压对从所述第二物理页面读取的所述数据执行错误校正操作。

7.一种存储器系统的操作方法,其中所述存储器系统包括存储器装置和控制所述存储器装置的存储器控制器,所述存储器装置包括多个物理页面,由所述存储器控制器排队的多个命令中的每一个被称为标签,所述方法包括:

使用默认读取电压执行对应于第一标签的读取操作;

执行对应于所述第一标签的防御码操作,其中所述防御码操作包括读取重试操作;以及

使用对应于所述第一标签的所述防御码操作的结果执行对应于第二标签的读取操作,

其中,对所述多个物理页面之中的同一个物理页面执行所述第一标签和所述第二标签,

其中对所述同一个物理页面中包括的多个逻辑页面之中的第一逻辑页面执行所述第一标签,

其中,对所述同一个物理页面中包括所述多个逻辑页面之中的第二逻辑页面执行所述第二标签,以及

其中,执行对应于所述第一标签的所述防御码操作包括:

使用分别从所述默认读取电压改变得到的改变的读取电压读取存储在所述第一逻辑页面中的数据;以及

基于使用所述改变的读取电压从所述第一逻辑页面读取的所述数据中包括的‘1’的数量与‘0’的数量的比例,将所述比例与参考值进行比较,并基于所述比较结果计算最优读取电压。

8.根据权利要求7所述的方法,其中执行对应于所述第一标签的所述读取操作包括:

使用所述默认读取电压读取存储在所述第一逻辑页面中的数据;和

使用所述默认读取电压对从所述第一逻辑页面读取的数据执行错误校正操作。

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