[发明专利]存储器系统及其操作方法

说明书

本发明涉及一种存储器系统的操作方法，其包括：响应于第一标签执行读取操作；响应于第二标签执行读取操作；执行对应于第一标签的防御码操作；对通过对应于第一标签的防御码操作输出的数据执行错误校正码(ECC)操作；以及执行对应于第二标签的防御码操作，其中在对应于第一标签的ECC操作完成之前，开始响应于第二标签的读取操作，并且其中通过使用对应于第一标签的防御码操作的结果，来执行对应于第二标签的防御码操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月14日提交的申请号为10-2017-0103154的韩国专利申请的优先权，其全部公开通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体涉及一种存储器系统，并且更特别地，涉及一种存储器系统的操作方法，其能够减少存储器系统的读取延时。

背景技术

存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置和非易失性存储器装置之间的主要差异在于当关闭电源时，非易失性存储器装置保留存储的数据，而易失性存储器装置不保留存储的数据。非易失性存储器装置的示例是只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等。

作为闪速EEPROM被引入的闪速存储器装置的结构和操作与典型的EEPROM不同。闪速存储器装置可以以块为单位执行电擦除操作并且以位为单位执行编程操作。

包括在闪速存储器装置中的多个被编程的存储器单元的阈值电压可以根据诸如浮栅耦合、随着时间流逝的电荷损失等的若干因素而改变。

多个存储器单元的阈值电压的改变可能导致读取操作失败。通常，为了防止读取操作失败，搜索最优读取电压，并且可以使用搜索到的最优读取电压来重试读取操作。然而，这可能增加采用该存储器装置的存储器系统的读取延时。

发明内容

本公开的各个实施例提供一种存储器系统的操作方法，其可以减少存储器系统的读取延时。

根据本公开的方面，提供一种存储器系统的操作方法，方法包括：响应于第一标签执行读取操作；响应于第二标签执行读取操作；执行对应于第一标签的防御码操作(defense code operation)；对通过对应于第一标签的防御码操作而被输出的数据执行错误校正码(ECC)操作；以及执行对应于第二标签的防御码操作，其中在对应于第一标签的ECC操作完成之前，响应于第二标签的读取操作开始，并且其中通过使用对应于第一标签的防御码操作的结果，来执行对应于第二标签的防御码操作。

根据本公开的另一方面，提供一种存储器系统的操作方法，方法包括：响应于第一标签执行读取操作；执行对应于第二标签的读取重试操作；对通过对应于第二标签的读取重试操作而被输出的数据执行ECC操作；以及执行对应于第一标签的读取重试操作，其中在进入对应于第二标签的读取重试操作之前，响应于第一标签的读取操作开始，并且其中基于对应于第二标签的读取重试操作的电压条件，来执行对应于第一标签的读取重试操作。

根据本公开的又一方面，提供一种存储器系统的操作方法，方法包括：响应于第一标签执行读取操作；响应于第二标签执行读取操作；执行对应于第一标签的防御码操作；响应于第三标签执行编程操作；以及在响应于第三标签的编程操作完成之后，执行对应于第二标签的防御码操作，其中通过使用对应于第一标签的防御码操作的结果，来执行对应于第二标签的防御码操作。

根据本公开的再一方面，提供一种存储器系统的操作方法，方法包括：执行分别对应于第一读取操作和第二读取操作的第一防御码操作和第二防御码操作；以及执行分别对应于第一防御码操作和第二防御码操作的第一ECC操作和第二ECC操作，其中在第一ECC操作完成之前执行第二读取操作，并且其中根据第一防御码操作的结果来执行第二防御码操作。

附图说明