[发明专利]一种阵列基板的制备方法及清洗液

权利要求书

1.一种清洗液，用于清洗阵列基板上的钝化膜，所述钝化膜包括铜-苯并三氮唑配合物，其特征在于，所述清洗液包括水、无机碱、有机胺及铜螯合剂；所述清洗液的pH为10～11；所述铜螯合剂与铜的螯合能力大于苯并三氮唑与铜的螯合能力，并能与铜生成水溶性络合物；所述有机胺用于断裂所述铜-苯并三氮唑配合物中的配位键，并溶解苯并三氮唑；其中，所述有机胺包括醇胺类、酰胺类、短链脂肪胺、芳香胺和含氮杂环物质中的至少一种。

2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液中，铜螯合剂的质量分数为1-4％；有机胺的质量分数为2-8％，无机碱的质量分数为0.5-2％。

3.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述铜螯合剂包括乙二胺四乙酸二钠、二乙烯三胺五乙酸五钠、亚氨基二琥珀酸钠盐或二乙基二硫代氨基甲酸钠；

所述无机碱包括NaOH、KOH和氨水中的一种或多种；

其中，所述醇胺类物质包括单乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种；所述酰胺类物质包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种；所述含氮杂环物质包括哌啶、哌嗪、咪唑、吡啶、六氢吡啶和四氢吡咯中的一种或多种；所述芳香胺包括苄胺；所述短链脂肪胺包括一甲胺、二甲胺、三甲胺、一乙胺、二乙胺、正丙胺、异丙胺，二异丙胺、正丁胺、乙二胺、1，2-丙二胺和己二胺中的一种或多种。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底的一面依次形成半导体层、金属铜图案层和光阻图案层；

对位于所述金属铜图案层的沟道内的半导体层进行干法刻蚀，所述金属铜图案层的沟道内形成有铜粒子，所述金属铜图案层的沟道为所述半导体层未被所述金属铜图案层覆盖的部分；

采用含苯并三氮唑的光阻剥离液剥离所述光阻图案层，所述金属铜图案层上及金属铜图案层的沟道内在剥离过程中形成钝化膜，所述钝化膜包括铜-苯并三氮唑配合物；

对剥离所述光阻图案层后的衬底采用清洗液进行清洗，以除去所述钝化膜；其中，所述清洗液包括水、无机碱、有机胺及铜螯合剂；所述清洗液的pH为10～11；所述铜螯合剂与铜的螯合能力大于苯并三氮唑与铜的螯合能力，并能与铜生成水溶性络合物；所述有机胺用于断裂所述铜-苯并三氮唑配合物中的配位键，并溶解苯并三氮唑。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述铜螯合剂包括乙二胺四乙酸二钠、二乙烯三胺五乙酸五钠、亚氨基二琥珀酸钠盐或二乙基二硫代氨基甲酸钠；所述铜螯合剂在清洗液中的质量分数为0.5-2％。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺在清洗液中的质量分数为2-8％。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺包括醇胺类、酰胺类、短链脂肪胺、芳香胺和含氮杂环物质中的至少一种；其中，所述醇胺类物质包括单乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种；所述酰胺类物质包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种；所述含氮杂环物质包括哌啶、哌嗪、咪唑、吡啶、六氢吡啶和四氢吡咯中的一种或多种；所述芳香胺包括苄胺；所述短链脂肪胺包括一甲胺、二甲胺、三甲胺、一乙胺、二乙胺、正丙胺、异丙胺，二异丙胺、正丁胺、乙二胺、1，2-丙二胺和己二胺中的一种或多种。

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述无机碱包括NaOH、KOH和氨水中的一种或多种；所述无机碱在清洗液中的质量分数为0.5-2％。

9.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述采用清洗液进行清洗之后，还包括：

在所述金属铜图案层及所述半导体层未被所述金属铜图案层覆盖的区域上沉积保护层。

10.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体层和所述衬底之间，还包括依次层叠设置在衬底上的栅极和栅极绝缘层；所述金属铜图案层包括同层设置在所述半导体层上的源极和漏极。