[发明专利]一种阵列基板的制备方法及清洗液

说明书

本发明提供了一种清洗液，用于清洗阵列基板上包括铜‑苯并三氮唑配合物的钝化膜，所述清洗液包括水、无机碱、有机胺及铜螯合剂；所述清洗液的pH为10～11；所述铜螯合剂与铜的螯合能力大于苯并三氮唑与铜的螯合能力，并能生成水溶性络合物；所述有机胺用于断裂所述铜‑苯并三氮唑配合物中的配位键及溶解苯并三氮唑。该清洗液主要用于对采用含苯并三氮唑的光阻剥离液剥离光阻图案层后的阵列基板进行清洗。本发明还提供了该清洗液在阵列基板制备中的应用。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法及清洗液。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。随着TFT-LCD不断发展，对电阻和电子迁移率的要求越来越高，为使TFT-LCD具有较高的对比度和图像显示质量，目前通常采用低电阻的金属铜作为制作源漏极、源极、栅极线、数据线等导电图案的导电材料。即，铜制程(沉积金属铜薄膜，然后再刻蚀成所需图案)在TFT-LCD领域中逐渐风行。

目前通常采用苯并三氮唑(BTA)作为Cu制程中光阻剥离液的腐蚀抑制剂，BTA能吸附在金属铜表面形成一层含导电配合物(铜-BTA)的钝化膜，在光阻的剥离过程中对铜起防蚀作用。但铜-BTA较难的去除，且它的残留会对显示器件的稳定性造成较大的影响，尤其是当显示器件的基板上导电图案的沟道(如源漏极之间的沟道)内残留有Cu粒子时，经过Cu制程的光阻剥离液处理后，铜-BTA也会附着在沟道内的Cu粒子上(如图1所示)，极大地影响显示器件的电性。

发明内容

鉴于此，本发明提供了一种用于清洗阵列基板上含铜-苯并三氮唑配合物的钝化膜的清洗液，以及阵列基板的制备方法，以避免阵列基板的导电图案的沟道内铜-BTA等残留物质影响阵列基板的质量。

具体地，本发明提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底的一面依次形成半导体层、金属铜图案层和光阻图案层；

对位于所述金属铜图案层的沟道内的半导体层进行干法刻蚀，所述金属铜图案层的沟道内形成铜粒子；所述金属铜图案层的沟道为所述半导体层未被所述金属铜图案层覆盖的部分；

采用含苯并三氮唑的光阻剥离液剥离所述光阻图案层，所述金属铜图案层上及金属铜图案层的沟道内在剥离过程中形成钝化膜，所述钝化膜包括铜-苯并三氮唑配合物；

对剥离所述光阻图案层后的衬底采用清洗液进行清洗，以除去所述钝化膜，得到阵列基板；其中，所述清洗液包括水、无机碱、有机胺及铜螯合剂；所述清洗液的pH为10～11；所述铜螯合剂与铜的螯合能力大于苯并三氮唑与铜的螯合能力，并能与铜生成水溶性络合物；所述有机胺用于断裂所述铜-苯并三氮唑配合物中的配位键，并溶解苯并三氮唑。

其中，所述铜螯合剂包括乙二胺四乙酸二钠(EDTA-二钠)、二乙烯三胺五乙酸钠盐(DTPA五钠)、亚氨基二琥珀酸钠盐(IDS-四钠)和二乙基二硫代氨基甲酸钠(DDTC钠盐)中的一种或多种。

其中，所述有机胺包括醇胺类、酰胺类、短链脂肪胺、芳香胺、含氮杂环物质。进一步地，所述醇胺类物质包括单乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种；所述酰胺类物质包括N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMA)和N-甲基吡咯烷酮(NMP)中的一种或多种；所述含氮杂环物质包括哌啶、哌嗪、咪唑、吡啶、六氢吡啶、四氢吡咯；所述芳香胺可以列举苄胺等；所述短链脂肪胺包括三种甲胺(一甲胺、二甲胺、三甲胺)、一乙胺、二乙胺、正丙胺、异丙胺，二异丙胺、正丁胺、乙二胺、1，2-丙二胺、己二胺等。

其中，所述有机胺为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、三乙醇胺和二乙醇胺中的一种或多种。