[发明专利]一种ITO基片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810334699.3 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108365001A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;廖良生;梁舰 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷转移 离型膜 抑制层 有机光电器件 制备 空穴注入层 离型膜剥离 导电薄膜 膜层结构 器件性能 器件制作 依次设置 基板 节约 应用 制造 | ||
1.一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，其特征在于，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。
2.根据权利要求1所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层的材料包括电荷转移抑制剂，所述电荷转移抑制剂优选为空穴注入材料，使所述电荷转移抑制层能够作为有机光电器件的空穴注入层。
3.根据权利要求2所述的ITO基片，其特征在于，所述空穴注入材料为HAT-CN或F4-TCNQ。
4.根据权利要求1所述的ITO基片，其特征在于，所述ITO基片包括第一功能区和第二功能区，所述电荷转移抑制层设置于所述第一功能区。
5.根据权利要求4所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层设置在所述ITO电极层上，将所述离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层保留在所述ITO电极层上。
6.根据权利要求4所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层设置在所述离型膜上，剥离所述离型膜时，所述电荷转移抑制层随所述离型膜一同剥离。
7.根据权利要求6所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层与所述离型膜之间还设置有粘结层。
8.权利要求5所述的ITO基片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：利用掩模板在ITO电极层的第一功能区上沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：在步骤S2形成的基片上贴附离型膜。
9.根据权利要求6所述的ITO基片的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：利用掩模板，在离型膜上与第一功能区对应的位置沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：将离型膜电荷转移抑制层一侧对位贴附于ITO电极层上。
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