[发明专利]一种ITO基片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种ITO基片及其制备方法，属于导电薄膜技术领域。本发明的ITO基片包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。电荷转移抑制层抑制了ITO电极层表面与离型膜之间的电荷转移，避免了因电荷转移造成的器件性能下降的问题，同时，在离型膜剥离后，电荷转移抑制层还可作为有机光电器件的空穴注入层，同一膜层结构能够实现不同功能，节约了器件制作成本。本发明可广泛应用于各类有机光电器件的制造中。

技术领域

本发明涉及导电薄膜技术领域，尤其涉及一种ITO基片及其制备方法。

背景技术

在液晶显示器、电致发光显示器、等离子体显示器、电致变色显示器、太阳能电池、触摸面板、电子纸等中，一般使用透明电极。例如，在有机电致发光器件中，由对置的两层电极及在电极之间设置有机功能层构成，有机功能层中的发光层中产生的光透过电极而被取出到外部。因此，两层电极中的至少一层为透明电极。

作为透明电极，一般使用有氧化铟锡(ITO)等的氧化物半导体系的材料，就由ITO等构成的透明电极而言，在沉积有机功能层之前，需要经过清洗步骤，增加了整体器件工艺的复杂度，因此，为了简化工序，现有的免清洗的ITO玻璃上会覆盖一层离型膜，使用之前将离型膜剥离，即用即撕，方便高效，但是这种免清洗的ITO玻璃，表面高功函的ITO电极层与离型膜表面的基团之间会发生电荷转移，造成ITO玻璃的性能降低，进而导致整个器件的性能的下降。

发明内容

本发明针对现有技术中的上述问题，提供一种可以防止ITO电极层电荷转移的ITO基片及其制备方法。

本发明公开了一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。

进一步地，所述电荷转移抑制层的材料包括电荷转移抑制剂，所述电荷转移抑制剂优选为空穴注入材料，使所述电荷转移抑制层能够作为有机光电器件的空穴注入层。

进一步地，所述空穴注入材料为HAT-CN或F4-TCNQ。

进一步地，所述ITO电极层为图案化的，具有导电部分和非导电部分。

进一步地，所述ITO基片包括第一功能区和第二功能区，所述第一功能区与有机光电器件的发光区对应，所述第二功能区与有机光电器件的非发光区对应，所述电荷转移抑制层设置于第一功能区，所述第二功能区的ITO电极层与离型膜直接接触。

进一步地，所述电荷转移抑制层设置在ITO电极层上，将离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层保留在ITO电极层上，可以直接作为有机光电器件的有机功能层，同一膜层结构在不同制程中实现不同功能，节约了器件制作成本。

进一步地，所述电荷转移抑制层设置在离型膜上，将离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层随离型膜一同剥离。

进一步地，所述电荷转移抑制层与离型膜之间还设置有粘结层。制作有机光电器件前，将电荷转移抑制层与离型膜一同被剥离ITO电极层表面，在电荷转移抑制层与离型膜之间设置粘结层，有利于将电荷转移抑制层剥离。

上述的一种ITO基片的制备方法，具体步骤包括：

S1：在基板上制作图案化的ITO电极层。

S2：第一功能区第二功能区利用掩模板在所述第一功能区的ITO电极层上沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；

S3：在步骤S2形成的基片上贴附离型膜。

上述另一种ITO基片的制备方法，具体步骤包括：

S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；

S2：利用掩模板，在离型膜上与第一功能区对应的位置沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；