[发明专利]发光二极管结构有效
申请号: | 201810339712.4 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN108321273B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/20 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磊晶层 基板 半导体 发光二极管结构 导电结构层 反射 暴露 覆盖 配置 | ||
1.一种发光二极管结构,其特征在于,包括:
基板,具有上表面;
半导体磊晶结构,设置在该基板的该上表面上,且暴露出部分该上表面,该半导体磊晶结构包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层,依序设置在该基板上,该半导体磊晶结构的一侧表面包括该第一型半导体层、该发光层以及该第二型半导体层;
第一绝缘层,覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面及该基板被暴露出的部分该上表面,并暴露出部分该半导体磊晶结构;
导电层,至少部分设置在该第一绝缘层所暴露出的部分该半导体磊晶结构上,且与该半导体磊晶结构电性连接;
布拉格反射镜层,设置在该导电层与该第一绝缘层上,其中该基板被暴露出的部分该上表面的至少局部为部分该布拉格反射镜层所覆盖;
第二绝缘层,设置在该布拉格反射镜层上;以及
至少一电极设置在该布拉格反射镜层上,且电性连接该导电层及该半导体磊晶结构,
其中该发光二极管结构具有平的侧表面,该平的侧表面包括该基板、该第一绝缘层及该第二绝缘层。
2.一种发光二极管结构,其特征在于,包括:
基板,具有上表面;
半导体磊晶结构,设置在该基板的该上表面上,且暴露出部分该上表面,该半导体磊晶结构包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层,依序设置在该基板上,该半导体磊晶结构的一侧表面包括该第一型半导体层、该发光层以及该第二型半导体层;
第一绝缘层,覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面及该基板被暴露出的部分该上表面,并形成至少一第一开口及至少一第二开口而分别暴露出部分该半导体磊晶结构;
连接层,至少部分设置在该第一绝缘层的该第一开口中,且与该半导体磊晶结构电性连接;
导电层,至少部分设置在该第一绝缘层的该第二开口中,且与该半导体磊晶结构电性连接;
布拉格反射镜层,至少设置在该导电层与该第一绝缘层上,其中该基板被暴露出的部分该上表面的至少局部为部分该布拉格反射镜层所覆盖;
第二绝缘层,设置在该布拉格反射镜层上;
第一电极设置在该第一绝缘层、该第二绝缘层及该布拉格反射镜层上,且通过该第一开口电性连接该连接层及该半导体磊晶结构;以及
第二电极设置在该第一绝缘层及该布拉格反射镜层上,且通过该第二开口电性连接该导电层及该半导体磊晶结构,
其中该发光二极管结构具有平的侧表面,该平的侧表面包括该基板、该第一绝缘层及该第二绝缘层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构,其中该基板还包括一倾斜面,该倾斜面连接该上表面,该半导体磊晶结构更暴露出该倾斜面。
4.根据权利要求3所述的发光二极管结构,其中该该第二绝缘层还覆盖在该基板被暴露出的部分该上表面及至少部分该倾斜面上。
5.根据权利要求3所述的发光二极管结构,其中该第二绝缘层还覆盖在该基板的至少部分该倾斜面上。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构,还包括阻障层,设置该半导体磊晶结构上并电性连接该导电层。
7.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构,其中该平的侧表面还包括该布拉格反射镜层。
8.根据权利要求3所述的发光二极管结构,其中该布拉格反射镜层还覆盖在该基板的至少部分该倾斜面上。
9.根据权利要求3所述的发光二极管结构,其中该第一绝缘层还覆盖在该基板的至少部分该倾斜面上。
10.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构,其中该布拉格反射镜层还覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面。
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