[发明专利]发光二极管结构

说明书

本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。

本发明是2013年08月01日所提出的申请号为201310331658.6、发明名称为《发光二极管结构》的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。

背景技术

一般而言，于制作发光二极管晶圆时，通常是先提供基板，利用磊晶成长方式，于基板上形成一磊晶结构，接着在磊晶结构上配置电极以提供电能，便可利用光电效应而发光。之后，利用微影蚀刻技术在磊晶结构中形成多个纵横交错的切割道。其中，每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出发光二极管晶粒。之后，进行后段的研磨与切割制程，将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒，进而完成发光二极管的制作。

为了增加发光二极管的出光效率，现有技术会于磊晶结构上依序增设欧姆接触层、反射层以及阻障层，其中欧姆接触层、反射层以及阻障层皆只覆盖于部分磊晶结构上。虽然上述的方式可增加发光二极管的出光效率，但其出光效率无法满足现今追求高出光效率的要求。因此，如何充分提高发光二极管的出光效率仍然是亟待克服的问题。

发明内容

本发明提供一种发光二极管结构，其具有良好的出光效率(light-emittingefficiency)。

本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、第一绝缘层、反射层、第二绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上，且暴露出部分基板。第一绝缘层覆盖部分半导体磊晶结构以及被半导体磊晶结构所暴露出的部分基板。反射层配置于第一绝缘层上，第二绝缘层，配置于反射层上。电极配置于第二绝缘层上并电极电性连接半导体磊晶结构。

本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、透明导电层、反射层、第一绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上，且暴露出部分基板。透明导电层配置在半导体磊晶结构上。反射层配置在部分透明导电层上且延伸覆盖被半导体磊晶层所暴露出的部分基板。第一绝缘层配置于反射层上。电极配置于第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。

本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、第一绝缘层、反射层、第二绝缘层以及至少一第一电极。半导体磊晶结构配置于基板上。第一绝缘层覆盖部分半导体磊晶结构以及部分基板。反射层配置于第一绝缘层上，第二绝缘层配置于反射层上。第一电极配置于第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。

本发明的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、透明导电层、反射层、第一绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上。透明导电层配置在半导体磊晶结构上。反射层位在基板上并覆盖至少部分透明导电层及至少部分半导体磊晶结构。第一绝缘层覆盖至少部分反射层及至少部分透明导电层及至少部分半导体磊晶结构。电极配置第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。

基于上述，由于本发明的发光二极管结构具有反射导电结构层，且此反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。因此，反射导电结构层可有效反射来自半导体磊晶层的光线，且被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分亦具有反射的功效。如此一来，反射导电结构层的设置可有效增加反射面积，进而可有效提高整体发光二极管结构的出光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。

图2为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。