[发明专利]LED衬底的剥离方法有效
| 申请号： | 201810340675.9 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108417523B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 牛小龙;徐相英;姜晓飞 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 衬底 剥离 方法 | ||
1.一种LED衬底的剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底的表面形成缝隙；
加热所述衬底至晶粒生长温度，并于所述衬底的表面生长LED晶粒；
冷却所述衬底和所述LED晶粒，并于所述缝隙中加入第一气体发生试剂和第二气体发生试剂，以使所述第一气体发生试剂与所述第二气体发生试剂反应生成气体，并保持所述缝隙内的气压；
激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离。
2.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述衬底为氧化锌衬底、氧化铝衬底、氮化铝衬底、或碳化硅衬底。
3.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述刻蚀过程为微纳刻蚀。
4.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述缝隙的宽度为100μm～1000μm。
5.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述冷却过程的降温速率为5℃/min～50℃/min。
6.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述第一气体发生试剂为酸性试剂，所述第二气体发生试剂为碱性试剂。
7.如权利要求6所述的剥离方法，其特征在于，所述第一气体发生试剂为盐酸溶液，所述第二气体发生试剂为碳酸钠溶液。
8.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述“保持所述缝隙内的气压”的步骤中的保压时间为10min～60min。
9.如权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述晶粒生长温度为900℃～1200℃。
10.如权利要求1至9中任一项所述的剥离方法，其特征在于，所述“激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离”的步骤之后，还包括：
对所述LED晶粒的表面进行平坦化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
