[发明专利]LED衬底的剥离方法

说明书

本发明公开一种LED衬底的剥离方法，所述LED衬底的剥离方法包括以下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底的表面形成缝隙；加热所述衬底至晶粒生长温度，并于所述衬底的表面生长LED晶粒；冷却所述衬底和所述LED晶粒，并于所述缝隙中加入第一气体发生试剂和第二气体发生试剂，以使所述第一气体发生试剂与所述第二气体发生试剂反应生成气体，并保持所述缝隙内的气压；激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离。本发明的技术方案能够减少LED晶粒与衬底剥离过程中激光照射的时间，提高衬底的剥离效率。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种LED衬底的剥离方法。

背景技术

随着技术的发展与进步，MicroLED已经展现出了超越OLED的许多优势。例如，MicroLED的LED晶粒更小、寿命更长，并且，MicroLED在模组厚度、功耗、亮度、屏幕响应时间、解析度、显示效果等方面都远超OLED。因此，MicroLED是一项极具竞争力的技术。可是，在MicroLED的制造过程中，却存在着需要将LED晶粒与衬底相剥离的难题。目前，为解决这样的难题，普遍的做法是直接对LED晶粒和衬底进行激光照射，以将LED晶粒与衬底相剥离。但是，这样的方式，激光照射的时间过长，效率低下。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种LED衬底的剥离方法，旨在减少LED晶粒与衬底剥离过程中激光照射的时间，提高衬底的剥离效率。

为实现上述目的，本发明提出的LED衬底的剥离方法，包括以下步骤：

提供一衬底；

对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底的表面形成缝隙；

加热所述衬底至晶粒生长温度，并于所述衬底的表面生长LED晶粒；

冷却所述衬底和所述LED晶粒，并于所述缝隙中加入第一气体发生试剂和第二气体发生试剂，以使所述第一气体发生试剂与所述第二气体发生试剂反应生成气体，并保持所述缝隙内的气压；

激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离。

可选地，所述衬底为氧化锌衬底、氧化铝衬底、氮化铝衬底、或碳化硅衬底。

可选地，所述刻蚀过程为微纳刻蚀。

可选地，所述缝隙的宽度为100μm～1000μm。

可选地，所述冷却过程的降温速率为5℃/min～50℃/min。

可选地，所述第一气体发生试剂为酸性试剂，所述第二气体发生试剂为碱性试剂。

可选地，所述第一气体发生试剂为盐酸溶液，所述第二气体发生试剂为碳酸钠溶液。

可选地，所述“保持所述缝隙内的气压”的步骤中的保压时间为10min～60min。

可选地，所述晶粒生长温度为900℃～1200℃。

可选地，所述“激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离”的步骤之后，还包括：

对所述LED晶粒的表面进行平坦化处理。