[发明专利]稀土磁体的制造方法

权利要求书

1.稀土磁体的制造方法，其包括：

准备具有由(R¹_vR²_wR³_x)_yT_zB_sM¹_t表示的组成的第1合金熔液，其中，R¹为选自Sc、Ce、La和Y中的1种以上，R²为选自Nd、Pr、Sm、Eu和Gd中的1种以上，R³为选自Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上，T为选自Fe、Ni和Co中的1种以上，B为硼，而且，M¹为选自Ti、Ga、Zn、Si、Al、Nb、Zr、Mn、V、W、Ta、Ge、Cu、Cr、Hf、Mo、P、C、Mg、Hg、Ag、Au、O和N中的1种以上以及不可避免的杂质元素，并且0.1≤v≤1.0、0≤w≤0.9、0≤x≤0.5和v+w+x＝1.0以及12≤y≤20、5≤s≤20、0≤t≤3和z＝100-y-s-t；

以10⁰～10²K/秒的速度将所述第1合金熔液冷却，得到第1合金块；

将所述第1合金块粉碎，得到具有1～20μm的粒径的第1合金粉末；

准备具有由(R⁴_pR⁵_q)_100-uM²_u表示的组成的第2合金熔液，其中，R⁴为选自Sc、Ce、La和Y中的1种以上，R⁵为选自Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上，M²为通过与R⁴和R⁵合金化从而使(R⁴_pR⁵_q)_100-uM²_u的熔点低于R⁴和R⁵的熔点的1种以上的合金元素以及不可避免的杂质元素，并且0≤p≤0.2、0.8≤q≤1.0、p+q＝1.0和10≤u≤50；和

使所述第1合金粉末与所述第2合金熔液接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述v为0.3≤v≤1.0。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述v为0.5≤v≤1.0。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其还包括使所述第1合金块吸留氢。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括：

将所述第2合金熔液冷却，得到第2合金块；

将所述第2合金块粉碎，得到第2合金粉末；

将所述第1合金粉末与所述第2合金粉末混合，得到混合粉末；

将所述混合粉末压缩，得到压块；和

将所述压块烧结，得到烧结体；

在所述烧结中，使所述第1合金粉末与所述第2合金粉末的熔液接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在磁场中将所述混合粉末压缩，得到压块。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，将所述第1合金块和所述第2合金块同时粉碎并进行混合，得到混合粉末。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其还包括：使所述第2合金块吸留氢。

9.根据权利要求5或6所述的方法，其中，在室温以上且不到所述第2合金粉末的熔点下将所述第1合金粉末与所述第2合金粉末混合。

10.根据权利要求5或6所述的方法，其中，在所述第2合金粉末的熔点以上且800℃以下将所述第1合金粉末与所述第2合金粉末混合。