[发明专利]稀土磁体的制造方法

说明书

本发明涉及稀土磁体的制造方法。提供即使主相的粒径为1～20μm也能够在抑制磁化的降低的同时提高矫顽力的R‑T‑B系稀土磁体的制造方法。稀土磁体的制造方法，其包括：准备由(R¹_vR²_wR³_x)_yT_zB_sM¹_t(R¹为轻稀土元素，R²为中稀土元素，R³为重稀土元素，T为铁族元素，M¹为杂质元素等)表示的第1合金熔液；以100～10²K/秒的速度将第1合金熔液冷却从而得到第1合金块；将第1合金块粉碎从而得到1～20μm的粒径的第1合金粉末；准备由(R⁴_pR⁵_q)_100‑uM²_u(R⁴为轻稀土元素，R⁵为中·重稀土元素，M²为与R⁴和R⁵合金化从而使(R⁴_pR⁵_q)_100‑uM²_u的熔点降低的合金元素等)表示的第2合金熔液；和使第1合金粉末与第2合金熔液接触。

技术领域

本公开涉及能够在抑制磁化的降低的同时提高矫顽力的、R-T-B系稀土磁体(R为稀土元素，T为选自Fe、Ni和Co中的1种以上，B为硼)的制造方法。本公开特别涉及即使具有由R₂T₁₄B表示的晶体结构的主相的粒径大也能够在抑制磁化的降低的同时提高矫顽力的、R-T-B系稀土磁体的制造方法。

背景技术

R-T-B系稀土磁体是具有优异的磁特性的高性能磁体。因此，除了构成硬盘和MRI(磁共振图像)装置等的马达以外，也用于混合动力车和电动汽车等的驱动用马达。

R-T-B系稀土磁体具有：具有由R₂T₁₄B表示的晶体结构的主相、和在主相的周围存在的富R晶界相。作为R-T-B系稀土磁体，有主相的粒径为1～20μm的磁体和主相的粒径为1～900nm的磁体。

在R-T-B系稀土磁体的性能指标中，作为代表的性能指标，有磁化和矫顽力。在具有主相和在主相的周围存在的富R晶界相的稀土磁体中，如果磁化反转跨越多个主相传播，则矫顽力降低。

目前为止，进行了如下研究：将具有主相和在主相的周围存在的富R晶界相的稀土磁体作为前体，使浸透材料浸透至该前体的内部，获得矫顽力得到提高的稀土磁体。

另外，就R-T-B系稀土磁体所必需的稀土元素而言，担心价格的飞涨，正在推进稀土元素中低价的轻稀土元素(Ce、La和Y)的利用。

例如，专利文献1中公开了浸透了浸透材料的R-T-B系稀土磁体。专利文献1中所公开的R-T-B系稀土磁体含有作为轻稀土元素的Ce，其主相具有核部和在核部的周围存在的壳部。

一般地，就浸透了浸透材料的R-T-B系稀土磁体而言，通过使非磁性的浸透材料浸透，矫顽力提高，但磁化降低。在R-T-B系稀土磁体含有轻稀土元素的情况下，由于轻稀土元素的磁化原本就低，因此浸透材料产生的磁化的降低严重。

但是，在专利文献1所公开的R-T-B系稀土磁体中，主相具有核部和壳部，浸透材料中所含的轻稀土元素以外的稀土元素浸透至壳部。因此，浸透材料不仅有助于矫顽力的提高，而且也有助于磁化的降低的抑制。由此，在专利文献1所公开的R-T-B系稀土磁体中，抑制磁化降低的同时提高矫顽力。

现有技术文献

专利文献