[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层字线，所述字线具有沿自所述衬底指向堆叠结构的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述字线的端部，所述字线的所述端部与插塞的一端连接，所述插塞的另一端用于与互连结构连接。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述字线还具有厚度均匀的字线本体部，所述增厚部位于所述字线本体之上；

所述增厚部的边缘沿水平方向突出于所述字线本体部的边缘。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构中的所述字线沿垂直于所述衬底的方向依次排序；

相邻的两个第奇数层所述字线中，较靠近所述衬底的所述字线的边缘沿水平方向突出于另一层所述字线的边缘，与所述第奇数层的所述字线连接的插塞沿第一方向排列。

4.如权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，相邻的两个第偶数层所述字线中，较靠近所述衬底的所述字线的边缘沿水平方向突出于所述另一层所述字线的边缘，与所述第偶数层的所述字线连接的插塞沿第二方向排列；所述第一方向与所述第二方向呈设定角。

5.如权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述设定角为90度。

6.如权利要求1至5任一项所述的三维存储器，其特征在于，还包括：层间绝缘层，填充在相邻两层所述字线之间。

7.如权利要求1至5任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述字线的材料包括钨。

8.如权利要求1至5任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3D NAND存储器。

9.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层字线，所述字线具有沿自所述衬底指向堆叠结构的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述字线的端部，所述字线的所述端部与插塞的一端连接，所述插塞的另一端用于与互连结构连接。

10.如权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成堆叠结构的具体步骤包括：

形成堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的层间绝缘层与牺牲层，所述堆叠层的端部形成有台阶结构，所述台阶结构包含若干层台阶；

去除位于所述台阶表面的所述层间绝缘层，暴露位于所述台阶的牺牲层；

沉积牺牲层材料于暴露的所述牺牲层表面，增加所述牺牲层在端部的厚度；去除所述堆叠层中的牺牲层，形成空隙区域；

填充导电层于所述空隙区域，形成所述字线。

11.如权利要求10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，去除位于所述台阶表面的所述层间绝缘层之前还包括如下步骤：

去除所述牺牲层的端部，在相邻层间绝缘层之间形成一凹槽；

形成层间绝缘材料层，所述层间绝缘材料层至少填充在所述凹槽内。

12.如权利要求11所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，沉积牺牲层材料于暴露的所述牺牲层表面的具体步骤包括：

沉积牺牲层材料于已暴露的牺牲层、层间绝缘层和层间绝缘材料层的所述台阶表面；

去除沉积于所述台阶的侧墙表面的牺牲层材料。

13.如权利要求12所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述堆叠结构中的所述字线沿垂直于所述衬底的方向依次排序；

相邻的两个第奇数层所述字线中，较靠近所述衬底的所述字线的边缘沿水平方向突出于另一层所述字线的边缘，与所述第奇数层的所述字线连接的插塞沿第一方向排列。