[发明专利]制作半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成一硅层于一基底上；

形成一金属氮化硅层于该硅层上；

形成一拉伸应力层于该金属氮化硅层上；

进行一热处理制作工艺，以形成一金属硅化物于该硅层以及该金属氮化硅层之间；

去除该拉伸应力层；

形成一导电层于该金属氮化硅层上；以及

图案化该导电层、该金属氮化硅层、该金属硅化物以及该硅层以形成一栅极结构。

2.如权利要求1所述的方法，还包含进行另一热处理制作工艺以形成另一金属硅化物于该金属氮化硅层以及该导电层之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中该硅层包含非晶硅。

4.如权利要求1所述的方法，另包含于摄氏400度至700度之间形成该拉伸应力层。

5.如权利要求1所述的方法，其中该拉伸应力层包含氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其中该拉伸应力层的拉伸应力大于2 GPa。

7.如权利要求1所述的方法，另包含于摄氏800度至900度之间进行该热处理制作工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其中该金属氮化硅层包含氮化钛硅(TiSiN)。

9.如权利要求1所述的方法，其中该导电层包含钨。

10.如权利要求1所述的方法，其中该栅极结构包含栅极绝缘层，设于该基底上。