[发明专利]制作半导体元件的方法有效

申请号：	201810341858.2	申请日：	2018-04-17
公开（公告）号：	CN110391185B	公开（公告）日：	2021-08-03
发明（设计）人：	林佶民;陈意维;郑存闵;陈品宏;刘志建;邱钧杰;陈姿洁;蔡志杰;黄怡安;张凯钧	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L21/8242	分类号：	H01L21/8242;H01L27/108
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	制作半导体元件方法
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【说明书】：

本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一硅层于一基底上，然后形成一金属氮化硅层于硅层上，形成一应力层于金属氮化硅层上，进行一热处理制作工艺，去除该应力层，形成一导电层于金属氮化硅层上，再图案化导电层、金属氮化硅层以及硅层以形成一栅极结构。

技术领域

本发明涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)元件的位线结构的方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明一实施例揭露一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一硅层于一基底上，然后形成一金属氮化硅层于硅层上，形成一应力层于金属氮化硅层上，进行一热处理制作工艺，去除该应力层，形成一导电层于金属氮化硅层上，再图案化导电层、金属氮化硅层以及硅层以形成一栅极结构。

依据本发明一实施例，又包含进行该热处理制作工艺以形成一金属硅化物于硅层以及金属氮化硅层之间。

依据本发明一实施例，硅层包含非晶硅，应力层包含一拉伸应力层，应力层包含氮化硅，且应力层的拉伸应力大于2 GPa。

依据本发明一实施例，另包含于摄氏400度至700度之间形成该应力层。

依据本发明一实施例，另包含于摄氏800度至900度之间进行该热处理制作工艺。

依据本发明一实施例，金属氮化硅层包含氮化钛硅(TiSiN)，导电层包含钨，且栅极结构包含一栅极绝缘层于基底上。

附图说明

图1为本发明一实施例的动态随机存取存储器元件的上视图；

图2至图6为图1中沿着切线A-A’方向制作动态随机存取存储器元件的位线结构的方法示意图；

图7为本发明一实施例于周边区所制备的一半导体元件的结构示意图。