[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成一钛层于硅层上；

形成一金属硅化物于该钛层以及该硅层之间；

进行一第二处理制作工艺将该钛层与氨气反应以形成氮化钛层；

进行一第一处理制作工艺将该氮化钛层以及二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层；

形成一导电层于该氮化钛硅层上；以及

图案化该导电层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中该硅层包含非晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中该金属硅化物的厚度小于该氮化钛层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中该金属硅化物的厚度小于该氮化钛硅层的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中该栅极结构包含栅极绝缘层，设于该半导体元件的基底上。

6.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成一钛层于硅层上；

形成一金属硅化物于该钛层以及该硅层之间；

进行一第二处理制作工艺将该钛层与氨气反应以形成一氮化钛层；

进行一第三处理制作工艺将该氮化钛层与二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层；

进行一第一处理制作工艺将该氮化钛硅层以及氨气反应形成一富氮层；

形成一导电层于该富氮层上；以及

图案化该导电层、该富氮层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。

7.如权利要求6所述的方法，其中该硅层包含非晶硅。

8.如权利要求6所述的方法，其中该金属硅化物的厚度小于该氮化钛层的厚度。

9.如权利要求6所述的方法，其中该金属硅化物的厚度小于该氮化钛硅层的厚度。

10.如权利要求6所述的方法，其中该栅极结构包含栅极绝缘层，设于该半导体元件的基底上。

11.一种半导体元件，其特征在于，包含：

栅极结构，设于一基底上，该栅极结构包含：

硅层，设于该基底上；

钛层，设于该硅层上；

金属硅化物，设于该钛层以及该硅层之间；

氮化钛层，设于该钛层上；

氮化钛硅层，设于该氮化钛层上；以及

导电层，设于该氮化钛硅层上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该金属硅化物的厚度小于该氮化钛层的厚度。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该金属硅化物的厚度小于该氮化钛硅层的厚度。

14.如权利要求11所述的半导体元件，另包含富氮层，设于该氮化钛硅层以及该导电层之间。