[发明专利]半导体元件及其制作方法有效

申请号：	201810342006.5	申请日：	2018-04-17
公开（公告）号：	CN110391247B	公开（公告）日：	2020-10-30
发明（设计）人：	刘子豪;陈意维;郑存闵;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;吴柏志;陈品宏;邱钧杰;陈姿洁;刘志建;蔡志杰;林佶民	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L27/11568	分类号：	H01L27/11568
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体元件及其制作方法
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【说明书】：

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一氮化钛层于一硅层上，然后进行一第一处理制作工艺将氮化钛层以及二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层，形成一导电层于氮化钛硅层上，再图案化该导电层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。

技术领域

本发明涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)元件的位线结构的方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明一实施例公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一氮化钛层于一硅层上，然后进行一第一处理制作工艺将氮化钛层以及二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层，形成一导电层于氮化钛硅层上，再图案化该导电层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。

本发明另一实施例公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一氮化钛硅(TiSiN)层于一硅层上，然后进行一第一处理制作工艺将氮化钛硅层以及氨气反应形成一富氮层。接着形成一导电层于富氮层上，再图案化该导电层、该富氮层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。

本发明又一实施例公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构又包含：一硅层设于基底上、一氮化钛层设于硅层上、一氮化钛硅层设于氮化钛层上以及一导电层设于氮化钛硅层上。

附图说明

图1为本发明一实施例的动态随机存取存储器元件的上视图；

图2至图5为图1中沿着切线A-A’方向制作动态随机存取存储器元件的位线结构的方法示意图；

图6为本发明一实施例的动态随机存取存储器元件的位线结构的结构示意图；

图7为本发明一实施例于周边区所制备的一半导体元件的结构示意图；

图8为本发明一实施例于周边区所制备的一半导体元件的结构示意图。

主要元件符号说明