[发明专利]一种叠层结构

权利要求书

1.一种叠层结构，其特征在于，将氧化镓半导体结晶膜在蓝宝石衬底上叠加而成；所述蓝宝石衬底厚度为100~1000μm，所述蓝宝石衬底的实际表面与蓝宝石c晶面呈0°~10°的偏离角；所述氧化镓半导体结晶膜是具有六方晶系的ε相氧化镓，厚度为0.1~100μm；

所述叠层结构的制备方法包括如下步骤：

S1：将蓝宝石衬底送入化学气相沉积反应室的托盘上，并让托盘旋转；

S2：反应室升温至450~800℃；向反应室通入补充性载气，并将反应室气压控制在20~400Torr；

S3：将装有有机金属源、氧源的鼓泡瓶沉浸在恒温水槽中，并通过质量流量计和压力计控制鼓泡瓶的流量和压力；

S4：待反应室温度稳定后，同时向有机金属源和氧源的鼓泡瓶通入载气，并让载气流入反应室中；控制生长时间，在蓝宝石衬底表面生长出0.1~100μm的氧化镓半导体结晶膜；

S5：保持补充性载气通入反应室，停止携带有有机金属源和氧源的载气通入反应室，停止生长；降温至室温后取样，即得；

其中，S3所述有机金属源为三乙基镓，所述氧源为水。

2.根据权利要求1所述叠层结构，其特征在于，所述蓝宝石衬底的实际表面与蓝宝石c晶面呈0.2°~2°的偏离角。

3.根据权利要求1所述叠层结构，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度为350~500μm。

4.根据权利要求1所述叠层结构，其特征在于，所述氧化镓半导体结晶膜厚度为0.1~10μm。

5.根据权利要求1所述叠层结构，其特征在于，所述氧化镓半导体结晶膜含有掺杂剂。

6.根据权利要求5所述叠层结构，其特征在于，所述掺杂剂是锡、硅、锗、镁、锌、铁、氮七种元素中的一种或多种的混合。