[发明专利]一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿膜层的制备方法，其特征在于：使用多次旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液，形成钙钛矿膜层；

具体旋涂五次钙钛矿前驱体溶液；第一次旋涂转速条件为2000r/60s，80℃退火10min；第二、三、四、五次旋涂钙钛矿前驱体溶液，转速条件分别是4000、6000、8000、10000r/60s，80℃各退火10min。

2.一种钙钛矿膜层，其特征在于：利用权利要求1所述的制备方法制备得到。

3.一种应用权利要求2所述的钙钛矿膜层的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，

步骤一，将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干；

步骤二，将透明导电玻璃基片放于紫外臭氧灯下照射10min，然后将空穴传输材料旋涂在透明导电玻璃上，形成空穴传输层，将制好的片子转移到手套箱中；

步骤三，使用多次旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液，在空穴传输层上旋涂形成钙钛矿发光层，将制好的片子置于真空腔内，抽真空至1.0*10^-4Pa；

步骤四：在步骤三的钙钛矿发光层上真空蒸镀电子传输材料，形成电子传输层；

步骤五：在步骤四的电子传输层上依次真空蒸镀电子注入材料和金属，形成电子注入层和阴极层，得到钙钛矿发光二极管器件；

步骤六：将步骤五制成的器件在手套箱中进行封装，手套箱为惰性气体氛围。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，将透明导电玻璃基片先用丙酮、乙醇擦洗，接着用去离子水冲洗，然后将基片分别在去离子水、丙酮、乙醇中用超声仪超声10min，最后在洁净的环境下烘烤至完全去除水分。

5.根据权利要求3所述的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，紫外臭氧清洗仪预热20min，将清洗并烘干的透明导电玻璃基片置于紫外臭氧灯下照射10min，然后将空穴传输材料旋涂在透明导电玻璃上，旋涂转速条件为3000r/40s，120℃退火40min，然后基片转移到手套箱中。

6.根据权利要求3所述的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，在钙钛矿发光层上蒸镀电子传输材料，蒸镀速率为电子传输层的厚度为45nm。

7.根据权利要求3所述的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于：步骤五中，电子注入材料和金属的蒸镀速率分别是和形成的电子注入层和阴极层的厚度分别为1.2nm和100nm。

8.根据权利要求3所述的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于：步骤六中，封装的具体操作为：将步骤五制备好的样品放入惰性气体氛围的手套箱中，在盖玻片上涂抹均匀的UV胶，然后放于阴极层上，并在UV灯下照射30s。