[发明专利]一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：由以下质量份的原料组成：2000份二聚酸，50～500份二元酸，100～500份二元胺，100～2000份聚醚二胺，50～2000份双官能团聚苯醚，50～1000份二异氰酸酯，5～50份无卤阻燃剂，2～10份抗氧化剂，2～10份水解稳定剂，2～10份UV稳定剂，2～10份着色剂，2～10份磷酸，2～10份月桂酸二丁锡；所述双官能团聚苯醚的结构式如下：

其中，Y为-(CH₃)₂C-；m＝n＝0～40；

所述无卤阻燃剂为哌嗪焦磷酸盐、烷基次磷酸盐、三聚氰胺磷酸盐、三聚氰胺氰尿酸盐中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：二聚酸中二酸的质量百分比90％。

3.根据权利要求1所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：二元酸为1,4-对苯二甲酸、1,3-间苯二甲酸或HCOO-(CH₂)_x-COOH，x＝2～16中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：二元胺为1,4-对苯二胺，1,3-间苯二胺、二氨基环己烷、5-氨基-3-(氨甲基)-1,3,3-三甲基环己烷、4,4'-二氨基-3,3'-二氯二苯甲烷、双(4-氨基-3氯苯基)甲烷、4-氯-3,5-二氨基苯甲酸异丁酯、哌嗪、4,4'-二氨双环己基甲烷或H₂N-(CH₂)_y-NH₂，y＝2～16中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：聚醚二胺的结构式为：H₂N-(CH₂O)_z-NH₂，z＝6～200。

6.根据权利要求1所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：二异氰酸酯为六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、2,4-甲基二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料，其特征在于：抗氧化剂为受阻酚抗氧剂、亚磷酸酯抗氧剂、烷基苯胺抗氧剂中的至少一种；UV稳定剂为二苯甲酮类稳定剂、苯并三唑类稳定剂、三嗪类稳定剂、水杨酸酯类稳定剂、取代丙烯腈类稳定剂中的至少一种；水解稳定剂为单碳二亚胺、多碳二亚胺、环氧化物、噁唑啉类化合物中的至少一种；着色剂为炭黑、二氧化钛中的至少一种。

8.权利要求1～7任一项所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)在保护气氛下，将二聚酸、二元酸、二元胺、聚醚二胺溶解于反应器中，在20℃～100℃下成盐；

2)加入磷酸，分散均匀，升温至150℃～180℃后，在300r/min～800r/min转速搅拌下反应0.2h～2h；

3)继续升温至200℃～250℃，将反应体系抽真空至30mbar，在50r/min～300r/min转速搅拌下反应0.2h～2h，得到二聚酸型聚酰胺预聚体；

4)加入双官能团聚苯醚，分散均匀，降温至150℃～200℃，加入月桂酸二丁锡和二异氰酸酯，继续反应1h～3h，得到二聚酸型聚酰胺材料；

5)继续加入无卤阻燃剂、抗氧剂、水解稳定剂、UV稳定剂和着色剂，混合均匀，得到超低介电性能无卤阻燃低压封装材料。

9.根据权利要求8所述的一种超低介电性能无卤阻燃低压封装材料的制备方法，其特征在于：步骤3)中，二聚酸型聚酰胺预聚体的胺值为5mgKOH/g～500mgKOH/g；步骤4)中，二聚酸型聚酰胺材料的胺值为3mgKOH/g～300mgKOH/g。