[发明专利]一种单相氮化硅陶瓷及其SPS制备工艺在审
申请号: | 201810344234.6 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108503370A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 汪振华;曹丽燕;刘奎;陈明丹;贾继恒 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化硅陶瓷材料 制备工艺 氮化硅陶瓷 断裂韧性 制备 放电等离子烧结技术 力学性能 维氏硬度 烧结 速率和 助烧剂 保温 优化 | ||
1.一种单相氮化硅陶瓷材料,其特征在于,以质量百分数计,包含如下组分:α-Si3N488%-97%、MgSiN2 1%-5%、Y2O3 1%-5%、CeO2 1%-2%。
2.根据权利要求1所述的单相氮化硅陶瓷材料,其特征在于,以质量百分数计,包含如下组分:α-Si3N4 91%、MgSiN2 5%、Y2O3 3%、CeO2 1%。
3.一种单相氮化硅陶瓷材料的SPS制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
(1)按比例称取α-Si3N4、MgSiN2、Y2O3和CeO2粉末,进行球磨混合;
(2)将球磨后的混合粉料在真空干燥箱内烘干,然后研磨并过100目筛;
(3)将筛选好的粉料称重6g并装入石墨模具中,在10MPa的压力下预压;
(4)在氩气保护气氛下,采用放电等离子烧结工艺,在50MPa的压力下以100℃/min的升温速率持续升温到1650℃,保温6min,随后随炉冷却,制得单相氮化硅陶瓷材料。
4.如权利要求3所述的单相氮化硅陶瓷材料的SPS制备工艺,其特征在于,步骤(1)中,所述的球磨混合是将称取的粉料放入球磨罐中,以无水乙醇为介质,所述的球磨罐优选聚氨酯球磨罐,磨球选用氮化硅球,球料比为7:1,球磨混合时间为48小时。
5.如权利要求3所述的单相氮化硅陶瓷材料的SPS制备工艺,其特征在于,步骤3中,将筛选好的粉料放在内径为20mm的圆形石墨模具中,预压时间2min。
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