[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

第一半导体芯片，位于第一衬底上方；

第二衬底，位于所述第一衬底上方，所述第一半导体芯片位于所述第一衬底与所述第二衬底之间；

多个支撑结构，设置于所述第二衬底与所述第一半导体芯片之间；

连接构件，设置于所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述连接构件将所述第一衬底电连接到所述第二衬底；以及

模制层，填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙，其中所述模制层设置于所述第一半导体芯片以及所述连接构件上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述多个支撑结构沿平行于所述第一衬底的面向所述第二衬底的表面的方向彼此间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中所述多个支撑结构之间的最小距离为300μm或大于300μm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述多个支撑结构中的每一个的顶部表面与所述第二衬底相接触，以及

其中所述多个支撑结构中的所述每一个的底部表面与所述第一半导体芯片相接触。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述模制层包括：

第一部分，覆盖所述连接构件的侧壁；以及

第二部分，位于所述第一半导体芯片与所述第二衬底之间。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第二部分位于所述多个支撑结构的支撑结构之间。

7.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第二部分与所述第二衬底以及所述第一半导体芯片相接触。

8.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，其中所述模制层还包括位于所述第一衬底与所述第一半导体芯片之间的第三部分。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

底部填充层，位于所述第一衬底与所述第一半导体芯片之间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第三衬底，位于所述第二衬底上方且电连接到所述第二衬底；以及

第二半导体芯片，设置于所述第三衬底上。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第二半导体芯片，设置于所述第二衬底上。

12.一种半导体封装，其特征在于，包括：

第一半导体芯片，位于第一衬底上方；

第二衬底，位于所述第一衬底上方；

支撑结构，位于所述第二衬底与所述第一半导体芯片之间；

连接构件，将所述第一衬底电连接到所述第二衬底；以及

模制层，填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙，其中所述模制层设置于所述第一半导体芯片以及所述连接构件上。

其中所述支撑结构沿平行于所述第一衬底的面向所述第二衬底的表面的方向的宽度的范围为所述第一半导体芯片沿平行于所述第一衬底的面向所述第二衬底的所述表面的所述方向的宽度的1/200到1/10。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，其中所述支撑结构的所述宽度的范围为30μm到600μm。

14.根据权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，其中所述支撑结构沿与所述第一衬底的面向所述第二衬底的所述表面正交的方向的厚度的范围为所述连接构件的厚度的1/10到2/5。