[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

一种半导体封装包含位于第一衬底上方的第一半导体芯片、第二衬底、多个支撑结构、连接构件以及模制层。第二衬底位于第一衬底上方。第一半导体芯片位于第一衬底与第二衬底之间。多个支撑结构设置于第二衬底与第一半导体芯片之间。连接构件设置于第一衬底与第二衬底之间。连接构件将第一衬底电连接到第二衬底。模制层填充第一衬底与第二衬底之间的间隙。模制层设置于第一半导体芯片和连接构件上。

相关申请案的交叉参考

本专利申请案主张于2017年4月18日在韩国知识产权局中提交的韩国专利申请案第10-2017-0049702号的优先权，所述韩国专利申请案的公开内容全文并入本文以供参考。

技术领域

本发明概念的示范性实施例涉及一种半导体封装，且特别是涉及一种用于制造所述半导体封装的方法。

背景技术

已开发出高性能、高速以及小型的电子组件。也已开发出用于使多个半导体芯片或多个半导体封装包含在一个封装中的封装技术。

发明内容

本发明概念的示范性实施例提供具有提高的可靠性的半导体封装。

本发明概念的示范性实施例提供用于制造具有提高的可靠性的半导体封装的方法。

本发明概念的示范性实施例提供用于制造半导体封装的方法，所述方法能够简化制造工艺。

在本发明概念的示范性实施例中，半导体封装包含位于第一衬底上方的第一半导体芯片。第二衬底位于第一衬底上方。第一半导体芯片位于第一衬底与第二衬底之间。多个支撑结构设置于第二衬底与第一半导体芯片之间。连接构件设置于第一衬底与第二衬底之间。连接构件将第一衬底电连接到第二衬底。模制层填充第一衬底与第二衬底之间的间隙。模制层设置于第一半导体芯片和连接构件上。

在本发明概念的示范性实施例中，半导体封装包含位于第一衬底上方的第一半导体芯片。第二衬底位于第一衬底上方。支撑结构位于第二衬底与第一半导体芯片之间。连接构件将第一衬底电连接到第二衬底。模制层填充第一衬底与第二衬底之间的间隙。模制层设置于第一半导体芯片和连接构件上。支撑结构沿平行于第一衬底的面向第二衬底的表面的方向的宽度的范围为第一半导体芯片沿平行于第一衬底的面向第二衬底的表面的方向的宽度的1/200到1/10。

在本发明概念的示范性实施例中，用于制造半导体封装的方法包含将第一半导体芯片安装在第一衬底上方。将第二衬底设置于第一衬底上方。第二衬底包含支撑结构，所述支撑结构设置于第二衬底的底部表面上且沿与第一衬底的面向第二衬底的表面正交的方向与第一半导体芯片垂直地交叠。所述方法包含执行回焊工艺以形成将第一衬底电连接到第二衬底的连接构件，以及形成覆盖第一半导体芯片和连接构件的侧壁的模制层。

在本发明概念的示范性实施例中，半导体封装包含第一衬底和位于所述第一衬底上方的半导体芯片。第二衬底设置于半导体芯片上方。支撑结构设置于半导体芯片的面向第二衬底的上部表面上。支撑结构的底部表面与半导体芯片的面向第二衬底的上部表面直接接触。支撑结构的顶部表面与第二衬底的面向半导体芯片的底部表面直接接触。多个连接构件设置于第一衬底与第二衬底之间。多个连接构件中的至少一个连接构件使第一衬底和第二衬底彼此电连接。在第一衬底与第二衬底之间形成模制层。模制层环绕半导体芯片。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明概念的示范性实施例，本发明概念的上述和其它特征将变得更加显而易见，其中：

图1是说明根据本发明概念的示范性实施例的半导体封装的示意性平面视图。

图2A是说明根据本发明概念的示范性实施例的半导体封装的横截面视图。

图2B是说明根据本发明概念的示范性实施例的半导体封装的横截面视图。

图3是说明根据本发明概念的示范性实施例的半导体封装的示意性平面视图。