[发明专利]写入辅助电路有效
| 申请号： | 201810345782.0 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735260B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 林洋绪;郑基廷;张琮永;吴尚锜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 写入 辅助 电路 | ||
1.一种写入辅助电路，包括：
第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极连接至第二节点；
第一可切换导电路径，位于所述第一节点与地电压之间；
第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，串联连接在所述电源电压与第三节点之间，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极连接至第四节点；
第二可切换导电路径，位于所述第三节点与所述地电压之间；
第三NMOS晶体管，串联连接在所述第四节点与数据线之间；
第一分流器，连接所述第四节点和所述数据线；
第四NMOS晶体管，串联连接在所述第二节点与反相数据线之间；以及
第二分流器，连接所述第二节点和所述反相数据线。
2.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述第一可切换导电路径包括：
第五NMOS晶体管，串联连接在所述第一节点与所述地电压之间；以及
其中，所述第五NMOS晶体管的栅极被配置为接收控制信号。
3.根据权利要求2所述的写入辅助电路，其中，所述第二可切换导电路径包括：
第六NMOS晶体管，串联连接在所述第三节点与所述地电压之间；以及
其中，所述第六NMOS晶体管的栅极被配置为接收所述控制信号。
4.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中：
所述第一分流器没有晶体管；以及
所述第二分流器没有晶体管。
5.根据权利要求4所述的写入辅助电路，其中：
所述第三NMOS晶体管的栅极连接至所述第一分流器；以及
所述第四NMOS晶体管的栅极连接至所述第二分流器。
6.根据权利要求1所述的写入辅助电路，还包括：
第五NMOS晶体管，串联连接在所述第一节点与所述地电压之间；
第六NMOS晶体管，串联连接在所述第三节点与所述地电压之间；以及
其中，所述第五NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管中的每一个的栅极均连接至所述地电压。
7.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中：
所述数据线是位线；以及
所述反相数据线是反相位线。
8.一种写入辅助电路，包括：
第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极连接至第二节点，所述第二节点连接至反相数据线；
第一可切换导电路径，位于所述第一节点与地电压之间；
第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，串联连接在所述电源电压与第三节点之间，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极连接至第四节点，所述第四节点连接至数据线；
第二可切换导电路径，位于所述第三节点与所述地电压之间；
第三NMOS晶体管，具有高电阻配置并且所述第三NMOS晶体管的第一漏极/源极连接至所述第四节点；
第一分流器，连接所述第四节点和所述数据线；
第四NMOS晶体管，具有高电阻配置并且所述第四NMOS晶体管的第一漏极/源极连接至所述第二节点；以及
第二分流器，连接所述第二节点和所述反相数据线。
9.根据权利要求8所述的写入辅助电路，其中，所述第一可切换导电路径包括：
第五NMOS晶体管，串联连接在所述第一节点与第五节点之间；
第六NMOS晶体管，串联连接在所述第五节点与所述地电压之间；以及
其中，所述第五NMOS晶体管的栅极被配置为接收控制信号。
10.根据权利要求9所述的写入辅助电路，其中，所述第一可切换导电路径包括：
所述第六NMOS晶体管的栅极连接至所述电源电压。
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