[发明专利]一种存储器的制备方法和存储器在审
| 申请号： | 201810347984.9 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110391243A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 外围电路区 制备 存储单元区 光刻胶层 浮栅 半导体基底 浅沟道隔离 光刻胶 去除 干法刻蚀工艺 层间绝缘层 凹槽形成 干法刻蚀 光刻工艺 湿法刻蚀 依次层叠 抛光 控制栅 刻蚀 源层 残留 外围 | ||
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
提供经过抛光的具有有源层、浅沟道隔离结构和浮栅的半导体基底，其中，所述半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；
采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层；
采用湿法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成第一凹槽；
去除所述光刻胶层以及所述第一凹槽内残留的光刻胶；
采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一凹槽形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽的底部高于所述浮栅的底部；
在所述存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在所述外围电路区形成外围栅极。
2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层之后，且在采用湿法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成第一凹槽之前，还包括：
采用干法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成凹槽。
3.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，去除所述第一凹槽内残留的光刻胶包括：
采用氧气或氧气与氩气干法去除所述第一凹槽内残留的光刻胶；和/或，
采用硫酸和过氧化氢去除所述第一凹槽内残留的光刻胶。
4.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在所述外围电路区形成外围栅极包括：
刻蚀掉所述外围电路区的浮栅；
在所述半导体基底的表面形成层间绝缘层并刻蚀掉所述外围电路区的层间绝缘层；
在所述半导体基底的表面形成栅极层并刻蚀形成所述控制栅和位于所述外围电路区的外围栅极。
5.一种存储器，其特征在于，所述存储器采用权利要求1-4任一所述的存储器的制备方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
