[发明专利]一种存储器的制备方法和存储器

说明书

本发明公开了一种存储器的制备方法和存储器。该方法包括：提供经过抛光的具有有源层、浅沟道隔离结构和浮栅的半导体基底，其中，半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层；采用湿法刻蚀工艺在存储单元区的浮栅之间的浅沟道隔离结构上形成第一凹槽；去除光刻胶层以及第一凹槽内残留的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀第一凹槽形成第二凹槽，其中，第二凹槽的底部高于浮栅的底部；在存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在外围电路区形成外围栅极。本发明实施例在进行干法刻蚀前，不在外围电路区设置光刻胶层，可以省去去除光刻胶的工艺，简化了存储器的制备流程，提高了制备效率。

技术领域

本发明实施例涉及NOR闪存存储器，尤其涉及一种存储器的制备方法和存储器。

背景技术

对于NOR闪存存储器，为了增加浮栅侧壁与控制栅之间的有效电容耦合，需要在浮栅的上方和侧壁都设置控制栅极，因此，为了在浮栅的侧壁设置控制栅极，需要刻蚀相邻的浮栅之间的浅槽隔离结构，以形成凹槽。

在刻蚀相邻浮栅之间的浅槽隔离结构时，通常，依次采用湿法刻蚀和干法刻蚀两道刻蚀工艺。在刻蚀过程中，光刻胶容易残留在凹槽内，导致存储单元的电流降低，影响产品良率和可靠性。并且，随着存储单元的特征尺寸进一步缩小，以及市场对其功耗不断降低的要求，这种由于光刻胶残留所导致的存储单元电流降低的问题越来越严重。

在现有技术中，为了减少光刻胶残留，需要在每次完成刻蚀后都对凹槽内残留的光刻胶进行彻底的清除，导致存储器的制备工艺复杂，制备成本较高。

发明内容

本发明提供一种存储器的制备方法和存储器，以简化存储器的制备工艺，降低制备成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储器发制备方法，该方法包括：

提供经过抛光的具有有源层、浅沟道隔离结构和浮栅的半导体基底，其中，所述半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；

采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层；

采用湿法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成第一凹槽；

去除所述光刻胶层以及所述第一凹槽内残留的光刻胶；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一凹槽形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽的底部高于所述浮栅的底部；

在所述存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在所述外围电路区形成外围栅极。

进一步地，在采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层之后，且在采用湿法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成第一凹槽之前，还包括：

采用干法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成凹槽。

进一步地，去除所述第一凹槽内残留的光刻胶包括：

采用氧气或氧气与氩气干法去除所述第一凹槽内残留的光刻胶；和/或，

采用硫酸和过氧化氢去除所述第一凹槽内残留的光刻胶。

进一步地，在所述存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在所述外围电路区形成外围栅极包括：

刻蚀掉所述外围电路区的浮栅；

在所述半导体基底的表面形成层间绝缘层并刻蚀掉所述外围电路区的层间绝缘层；

在所述半导体基底的表面形成栅极层并刻蚀形成所述控制栅和位于所述外围电路区的外围栅极。

第二方面，本发明实施例还提供了一种存储器，包括第一方面的存储器的制备方法。