[发明专利]泄漏检测方法、以及非暂时性的计算机可读取记录介质

说明书

本发明提供一种无需从研磨装置拆卸研磨头，就可检测供给至研磨头的压缩气体泄漏的泄漏检测方法。本发明的泄漏检测方法是在使研磨头(30)的隔膜(34)接触于静止面的状态下，向通过隔膜(34)形成的压力室(C1)内供给压缩气体，在向压力室(C1)内供给压缩气体期间，一边用压力调节器R1调节压力室(C1)内的压缩气体的压力，一边测定压缩气体的流量，并测定压力室(C1)内的压缩气体的压力，决定压缩气体的压力变动在允许变动幅度内时所测定的压缩气体的流量是否在基准范围内，当流量在基准范围之外时生成泄漏检测信号。

技术领域

本发明涉及一种检测来自研磨装置的压缩气体泄漏的泄漏检测方法，特别是涉及一种检测供给至研磨装置的基板保持装置的压缩气体泄漏的泄漏检测方法。此外，本发明涉及一种记录有用于执行该泄漏检测方法的程序的计算机可读取记录介质。

背景技术

近年来，随着半导体元件高集成化、高密度化，电路配线越来越微细化，多层配线的层数也增加。为了达成电路细微化而且实现多层配线，沿用下侧的层的表面凹凸且台阶差更大，因此随着配线层数增加，对薄膜形成中的台阶差形状的膜覆盖性(阶梯覆盖)变差。因此，为了进行多层配线，必须改善该阶梯覆盖，并以适当的过程进行平坦化处理。此外，因为光刻法微细化的同时焦点深度变浅，所以需要对半导体元件表面进行平坦化处理，使半导体元件表面的凹凸台阶差在焦点深度以下。

因此，在半导体元件的制造工序中，半导体元件表面的平坦化越来越重要。该表面平坦化中最重要的技术是化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)。该化学机械研磨是将包含二氧化硅(SiO₂)等研磨粒的研磨液供给至研磨垫的研磨面上，并且使晶片与研磨面滑动接触来进行研磨。

用于进行CMP的研磨装置具备：支撑研磨垫的研磨台；以及用于保持基板的称为研磨头或顶环等的基板保持装置。以下将基板保持装置称为研磨头。使用这样的研磨装置进行基板研磨的情况下，通过研磨头将基板按压于研磨垫的研磨面。此时，通过使研磨台与研磨头相对运动而基板与研磨面滑动接触，来研磨基板的表面。

研磨中的基板与研磨垫的研磨面之间的相对按压力在整个基板上不均匀时，根据施加于基板各部分的按压力而产生研磨不足、研磨过度。由此，为了将对于基板的按压力均匀化，研磨头具有用于将基板按压于研磨垫的多个压力室，这些压力室由隔膜(弹性膜)形成。隔膜安装于研磨头的头主体，在各个压力室经由多个压力调节器分别供给有空气或氮气等压缩气体。压力室内的气体压力通过压力调节器来控制。具备这样的多个压力室的研磨头可将基板的多个区域以希望的压力按压于研磨垫。

由于进行多片基板的研磨处理时隔膜老化，因此需定期进行隔膜的维修及/或更换。维修后的隔膜或新的隔膜未适当地安装于研磨头的头主体时，气体从隔膜泄漏，导致无法将基板的多个区域分别以希望的压力按压于研磨垫。由此，每次将隔膜安装于头主体时，都要进行气体是否从该隔膜泄漏的泄漏检查。

再者，当老化的隔膜破损时，气体从该隔膜泄漏而产生基板的研磨不良。产生基板的研磨不良时，研磨装置的作业人员执行隔膜的泄漏检查，确认气体是否从该隔膜泄漏。

在现有的泄漏检查中，从研磨装置拆卸研磨头，再将研磨头固定于泄漏检查夹具。进一步将设于工厂的作为实用设备的压缩气体供给源连接于泄漏检查夹具，并经由泄漏检查夹具将压缩气体供给至通过隔膜形成的各压力室。泄漏检查夹具安装有压力传感器，将加压至指定压力的压力室放置指定时间，确认压力传感器的测定值是否减少至允许值以下。当压力传感器的测定值减少至允许值以下时，判断为有气体从隔膜泄漏，而进行隔膜的再安装或更换。对多个压力室分别依次执行该泄漏检查。通过进行该泄漏检查，可防止气体从隔膜泄漏，而适当进行基板的研磨。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-221471号公报

(发明所要解决的问题)