[发明专利]一种OLED显示基板及其制作方法有效
申请号: | 201810355706.8 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108428727B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 罗志猛;李扬;赵云 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;陈卫 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括基底、设于所述基底上的阳极层、设于所述阳极层上的OLED有机层、设于所述阳极层侧面的引线层、设于所述OLED有机层侧面的绝缘层和设于所述OLED有机层上的阴极层;所述OLED有机层包括多个不同颜色的发光区,所述绝缘层包括覆盖所述引线层的无机层和设于所述无机层上的PSPI层;所述PSPI层覆盖所述无机层的两侧端面,所述PSPI层朝向所述OLED有机层的侧端面与所述无机层朝向所述OLED有机层的侧端面的间距为3~8μm,所述PSPI层的两侧边缘斜角小于二十度,所述PSPI层相对于400~700nm波段的光线的透过率为90%。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述无机层的材料为SiOx、SiNx、SiCx、SiOxNy或SiOxCy中的一种。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述无机层的材料为莫氏硬度为5的SiOx、莫氏硬度为7.5~8.5的SiNx或者莫氏硬度为9.2~9.5的SiCx中的一种。
4.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述PSPI层与所述无机层之间的附着力大于4B。
5.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述无机层的厚度为100~1000Å。
6.一种OLED显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1所述的OLED显示基板,包括以下步骤:
步骤1、提供一ITO基底并在所述ITO基底上制作阳极层和引线层;
步骤2、在所述阳极层和引线层上制作无机膜层并刻蚀形成覆盖引线层的无机层;
步骤3、依次制作PSPI层、OLED有机层以及阴极层;
其中所述PSPI层覆盖所述无机层的两侧端面,所述PSPI层朝向所述OLED有机层的侧端面与所述无机层朝向所述OLED有机层的侧端面的间距为3~8μm,所述PSPI层的两侧边缘斜角小于二十度,所述PSPI层相对于400~700nm波段的光线的透过率为90%。
7.根据权利要求6所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,所述步骤2中采用干刻法刻蚀形成无机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的