[发明专利]一种针对浮栅的漏电点定位方法

权利要求书

1.一种针对浮栅的漏电点定位方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一浮栅器件，所述浮栅器件包括由下至上依次堆叠的浮栅层、复合绝缘层、控制栅层、保护层、隔离层以及金属连线层；

步骤S2，采用一第一刻蚀工艺去除所述金属连线层；

步骤S3，采用一第二刻蚀工艺去除所述隔离层，以将所述保护层的上表面予以暴露；

步骤S4，采用一第三刻蚀工艺去除所述保护层，以将所述控制栅层的上表面予以暴露；

步骤S5，采用一第四刻蚀工艺去除所述控制栅层，以将所述复合绝缘层的上表面予以暴露；

步骤S6，采用一切割工艺对所述浮栅层连同所述复合绝缘层进行纵向切割，形成相互分隔的多个切割块；

步骤S7，采用一电子或离子注入工艺对每个所述切割块的上表面进行注入，并根据每个所述切割块的明暗情况对漏电点进行定位；

其中，所述步骤S5中，所述第四刻蚀工艺为采用胆碱溶液的湿法刻蚀工艺。

2.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述步骤S6中，每个所述切割块为矩形。

3.根据权利要求2所述的漏电点定位方法，其特征在于，矩形的每个所述切割块的尺寸为0.5μm*1μm。

4.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述胆碱溶液中成分的容量配比为：

胆碱：水：异丙醇＝3:3:2。

5.根据权利要求3所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的温度为240℃～260℃；反应时间为4min～6min。

6.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述复合绝缘层为氧化物-氮化物-氧化物的复合层。

7.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第二刻蚀工艺为离子刻蚀工艺。

8.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述保护层由硅钴合金形成。

9.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述控制栅层由多晶硅形成。

10.根据权利要求1所述的漏电点定位方法，其特征在于，所述复合绝缘层的厚度为12nm～18nm。