[发明专利]一种针对浮栅的漏电点定位方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种针对浮栅的漏电点定位方法，包括：步骤S1，提供一浮栅器件；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺去除金属连线层；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺去除隔离层；步骤S4，采用一第三刻蚀工艺去除保护层；步骤S5，采用一第四刻蚀工艺去除控制栅层；步骤S6，采用一切割工艺对浮栅层连同复合绝缘层进行纵向切割，形成相互分隔的多个切割块；步骤S7，采用电子/离子注入工艺对每个切割块的上表面进行注入，并根据每个切割块的明暗情况对漏电点进行定位；其中，第四刻蚀工艺为采用胆碱溶液的湿法刻蚀工艺；能够精确定位至复合绝缘层中，进而精确定位浮栅中漏电点的位置，保证了击穿电压测试的有效性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种针对浮栅的漏电点定位方法。

背景技术

对于浮栅产品来说，氧化物抗击穿质量是工艺控制的关键参数。而击穿电压测试是评估氧化物抗击穿质量的一个重要方法。击穿电压测试失效样品的分析中失效点或者漏电点的定位是失效分析必不可少的步骤。

传统的定位方法是通过激光或微光显微镜抓取热点粗略定位漏电点的位置，定位精度在5um×3um或者3um×5um的区域，定位精确度很低。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种针对浮栅的漏电点定位方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一浮栅器件，所述浮栅器件包括由下至上依次堆叠的浮栅层、复合绝缘层、控制栅层、保护层、隔离层以及金属连线层；

步骤S2，采用一第一刻蚀工艺去除所述金属连线层；

步骤S3，采用一第二刻蚀工艺去除所述隔离层，以将所述保护层的上表面予以暴露；

步骤S4，采用一第三刻蚀工艺去除所述保护层，以将所述控制栅层的上表面予以暴露；

步骤S5，采用一第四刻蚀工艺去除所述控制栅层，以将所述复合绝缘层的上表面予以暴露；

步骤S6，采用一切割工艺对所述浮栅层连同所述复合绝缘层进行纵向切割，形成相互分隔的多个切割块；

步骤S7，采用一电子/离子注入工艺对每个所述切割块的上表面进行注入，并根据每个所述切割块的明暗情况对漏电点进行定位；

其中，所述步骤S5中，所述第四刻蚀工艺为采用胆碱溶液的湿法刻蚀工艺。

上述的漏电点定位方法，其中，所述步骤S6中，每个所述切割块为矩形。

上述的漏电点定位方法，其中，矩形的每个所述切割块的尺寸为0.5μm*1μm。

上述的漏电点定位方法，其中，所述步骤S5中，所述胆碱溶液中成分的容量配比为：

胆碱：水：异丙醇＝3:3:2。

上述的漏电点定位方法，其中，所述湿法刻蚀的温度为240℃～260℃；反应时间为4min～6min。

上述的漏电点定位方法，其中，所述复合绝缘层为氧化物-氮化物-氧化物的复合层。

上述的漏电点定位方法，其中，所述步骤S3中，所述第二刻蚀工艺为离子刻蚀工艺。

上述的漏电点定位方法，其中，所述步骤S1中，所述保护层由硅钴合金形成。

上述的漏电点定位方法，其中，所述步骤S1中，所述控制栅层由多晶硅形成。

上述的漏电点定位方法，其中，所述复合绝缘层的厚度为12nm～18nm。

有益效果：本发明提出的一种针对浮栅的漏电点定位方法，能够精确定位浮栅中漏电点的位置，保证了击穿电压测试的有效性。

附图说明