[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

权利要求书

1.一种LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上由下至上依次形成缓冲层(20)、多晶硅有源层(30)、栅极绝缘层(40)、栅极(50)及层间绝缘层(60)；

所述多晶硅有源层(30)具有位于两端的源漏极接触区(31)、位于中间的沟道区(32)及位于源漏极接触区(31)与沟道区(32)之间的LDD区(33)；所述栅极绝缘层(40)在所述缓冲层(20)上覆盖所述多晶硅有源层(30)；所述栅极(50)在所述栅极绝缘层(40)上对应位于所述多晶硅有源层(30)的沟道区(32)的上方；所述层间绝缘层(60)在所述栅极绝缘层(40)上覆盖所述栅极(50)；

步骤S2、在所述层间绝缘层(60)上涂布光阻，经曝光、显影后得到光阻层(90)，所述光阻层(90)对应于所述源漏极接触区(31)的上方具有过孔图案(95)而露出层间绝缘层(60)；

步骤S3、以所述光阻层(90)为遮蔽层，对所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻，在所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)上对应于所述源漏极接触区(31)的上方形成过孔(65)，使形成的所述过孔(65)和光阻层(90)之间形成底切结构，所述过孔(65)的纵截面呈倒置梯形，所述光阻层(90)伸到所述过孔(65)上方而遮盖所述过孔(65)孔壁的顶部；

步骤S4、在所述过孔(65)位置处沉积导电材料，该导电材料穿过所述光阻层(90)在过孔(65)内形成与所述源漏极接触区(31)相接触的导电层(70)，剥离去除所述光阻层(90)及光阻层(90)上的导电材料；

步骤S5、在所述层间绝缘层(60)上沉积并图案化形成源漏极(80)，所述源漏极(80)与所述过孔(65)内的导电层(70)相接触进而与所述源漏极接触区(31)相导通。

2.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中所沉积形成的导电层(70)为金属材料层或金属氧化物材料层。

3.如权利要求2所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中所沉积形成的导电层(70)为金属钼层。

4.如权利要求2所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中所沉积形成的导电层(70)为N型离子掺杂的非晶硅层。

5.如权利要求2所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中对所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻的蚀刻气体包含氧气，该蚀刻气体还包含六氟化硫、五氟乙烷及四氟化碳中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

步骤S11、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行图案化处理，得到多晶硅有源层(30)，在所述缓冲层(20)上形成覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40)；

步骤S12、在所述栅极绝缘层(40)沉积金属层，在所述金属层上对应于所述多晶硅有源层(30)中部的上方形成光阻图案(98)，以所述光阻图案(98)为遮蔽层，对所述金属层进行第一次蚀刻形成准栅极(51)，以所述准栅极(51)为遮蔽层，对所述多晶硅有源层(30)两端没有被准栅极(51)遮盖的部分进行N型离子重掺杂，形成多晶硅有源层(30)两端的源漏极接触区(31)；

步骤S13、对所述金属层进行第二次蚀刻，使所述准栅极(51)两侧被横向蚀刻而宽度减小，形成栅极(50)，剥离去除所述光阻图案(98)，以所述栅极(50)为遮蔽层，对所述多晶硅有源层(30)两端没有被栅极(50)遮盖的部分进行N型离子轻掺杂，得到多晶硅有源层(30)中部的对应位于所述栅极(50)下方的沟道区(32)以及所述源漏极接触区(31)和沟道区(32)之间的LDD区(33)；

步骤S14、在所述栅极绝缘层(40)上形成覆盖所述栅极(50)的层间绝缘层(60)。