[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

说明书

本发明提供一种LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。本发明的LTPS TFT基板的制作方法，在利用光阻层在层间绝缘层和栅极绝缘层上对应于源漏极接触区的上方蚀刻形成过孔之后，并在剥离去除光阻层之前，在所述过孔位置处沉积导电材料而在过孔内形成与所述源漏极接触区相接触的导电层，后续使得源漏极与过孔内的导电层相接触进而与源漏极接触区相导通，从而能够有效改善Re‑etch LDD技术中源漏极与源漏极接触区接触阻抗偏高的不足，进而在不影响产品特性的情况下，可通过Re‑etch LDD技术减少一道光罩制程，并且使过孔与光阻层之间形成底切结构，避免所沉积的导电材料对剥离光阻层产生影响，保证光阻层的剥离效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。

其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。

热载流子效应是金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)器件的一个重要失效机理，随着MOS器件尺寸的日益缩小，器件的热载流子注入效应越来越严重。在LTPS阵列技术中，为了有效抑制LTPS N型金属氧化物半导体(NMOS)器件的热载流子效应，提高器件工作的稳定性及改善器件在负偏置条件下的漏电流，现有的LTPS NMOS制作工艺通常采取轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)方式，即是在多晶硅(Poly-Si)沟道中靠近源漏极的附近设置一个低掺杂的区域，让该低掺杂的区域也承受部分分压。

目前通常被应用的LDD工艺为MASK(光罩)LDD技术及Re-etch(重复蚀刻)LDD技术，其中采用MASK LDD技术制作LTPS阵列基板的过程包括如下步骤：

步骤S10、如图1所示，在基板100上依次形成缓冲层200和多晶硅有源层300，在所述多晶硅有源层300上涂覆光阻，并通过一道光罩经曝光显影处理形成光阻图案980，以所述光阻图案980为遮蔽层，向多晶硅有源层300两端植入高剂量的N型离子(磷离子P+，1x10¹⁴～1x10¹⁵ions/cm²)，形成源漏极接触区310；