[发明专利]光耦合器

权利要求书

1.一种光耦合器，包括：

至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；

至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；

绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；

第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；

第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及

基板，具有凹槽；

其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中并且具有导电特性，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输入端的所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输出端的所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的光耦合器，其中所述绝缘结构包括：设置于所述凹槽上的至少一个凸部和/或至少一个凹部，其中所述至少一个凸部的高度不大于所述第一胶体高度的二分之一，其中所述至少一个凹部的高度不大于所述基板厚度的二分之一。

3.根据权利要求2所述的光耦合器，其中所述凹槽包括底面和设置有反射层的侧面，其中所述侧面环绕所述底面，并且其中所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片设置于所述底面。

4.根据权利要求2所述的光耦合器，其中所述第一胶体为高透光材料所形成，包括聚酰亚胺或硅胶；

所述第二胶体为反射性材料所形成，包括环氧树脂；

所述基板的材料为非金属材料，包括硅基板或玻璃基板；

所述至少一个发光芯片包括红外线发光二极管、氮化镓基发光二极管、砷化铝镓发光二极管或磷砷化镓发光二极管；并且

所述至少一个感光芯片包括光电二极管、光电晶体管、光达灵顿晶体管、光控晶闸管、光双向晶闸管或光电集成电路。

5.根据权利要求2所述的光耦合器，其中，

当所述绝缘结构包括至少一个凸部和至少一个凹部时，所述至少一个凸部与所述至少一个凹部相邻。

6.根据权利要求2所述的光耦合器，其中所述至少一个凸部和所述至少一个凹部的剖面形状为三角形、四角形、或多边形。

7.根据权利要求2所述的光耦合器，其中当所述绝缘结构包括至少一个凸部和至少一个凹部时，所述至少一个凸部为次凸部，设置于所述至少一个凹部中。

8.一种光耦合器，包括：

至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；

至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；

绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场，所述绝缘结构包括连接部和隔离部并且通过所述连接部与所述第一连接区和所述第二连接区连接，使得设置于所述连接部的所述隔离部位于所述发光芯片和所述感光芯片之间；

第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；以及

第二胶体，用于覆盖所述第一胶体。

9.根据权利要求8所述的光耦合器，其中所述连接部由黏着性材料所制成，并且所述隔离部由透明绝缘材料所制成，包括聚酰亚胺。

10.根据权利要求8所述的光耦合器，其中所述隔离部垂直设置于所述连接部，所述隔离部从所述连接部开始延伸的垂直高度不大于所述第一胶体的厚度，并且所述隔离部为立方体或锥状体。

11.根据权利要求8所述的光耦合器，其中所述隔离部倾斜地设置于所述连接部。