[发明专利]光耦合器在审
申请号: | 201810357457.6 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108735853A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 蒋国军;黄柏杰;李名京 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 连接区 发光芯片 感光芯片 电性连接 光耦合器 绝缘结构 基板 隔离电场 覆盖 | ||
本公开提供了一种光耦合器,包括:至少一个发光芯片,设置于第一连接区上;至少一个感光芯片,设置于第二连接区上;绝缘结构,设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间,用于隔离电场;第一胶体,用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及绝缘结构;第二胶体,用于覆盖所述第一胶体;以及基板,具有凹槽,其中,所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中,所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与所述第一连接区电性连接,所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与所述第二连接区电性连接,所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。
相关申请的交叉引用
本公开要求蒋国军(Kuochun chiang)等人在2017年4月20日递交的发明名称为“光学设备(Optical Device)”的第62/488,052号美国临时专利申请案的在先申请优先权,该在先申请的内容如同全文复制一般以引入的方式并入本文本中。
技术领域
本公开涉及光耦合器技术领域。
背景技术
光耦合器包括至少一个发光芯片,可经由光传输介质光耦合于至少一个感光芯片。这样的设计,可以允许信息由设置发光芯片的电路传送至设置感光芯片的另一电路。在两个电路之间会保持高度的电隔离。因为,信息以光来通过绝缘间隙,因此其传输是单向的。举例来说,感光芯片并不能改变设置发光芯片的电路的操作。该特征极为重要,因为例如所述发射器将可以使用微处理器或逻辑闸以低电压来驱动,而输出感光芯片则可以为高压直流电(Direct Current,DC)或交流电(Alternating Current,AC)负载电路的一部份。此外,光隔离也可以防止输入电路被比较高能的输出电路所损坏。
发明内容
本公开实施例提供了一种光耦合器。所述技术方案如下:
根据本发明的第一方面,提供了一种光耦合器,包括:
至少一个发光芯片,设置于第一连接区上,用以发射至少一个不可见光线;
至少一个感光芯片,设置于第二连接区上,用以接收所述至少一个不可见光线;
绝缘结构,设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间,用于隔离电场;
第一胶体,用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构;
第二胶体,用于覆盖所述第一胶体;以及
基板,具有凹槽,其中,所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中并且具有导电特性,所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输入端的所述第一连接区电性连接,所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输出端的所述第二连接区电性连接,所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。
根据第一方面的第一种实施方案,所述绝缘结构包括设置于所述凹槽上的至少一个凸部和/或至少一个凹部,其中所述至少一个凸部的高度不大于所述第一胶体高度的二分之一,其中所述至少一个凹部的高度不大于所述基板厚度的二分之一。
根据第一方面的第二种实施方案,所述凹槽包括底面和设置有反射层的侧面,其中所述侧面环绕所述底面,并且其中所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片设置于所述底面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿光电子工业股份有限公司,未经亿光电子工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810357457.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光传感器
- 下一篇:光伏组件焊带内反射光学利用率的表征方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的