[发明专利]集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种集成电路设计的仿真方法，其特征在于，包括：

创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表，其中，所述第一寄生电容数据表包括多组第一样本参数以及多个与所述第一样本参数相对应的第一电容值，所述第二寄生电容数据表包括多组第二样本参数以及多个与所述第二样本参数相对应的第二电容值；

获取第一金属线的输入参数，其中，所述输入参数包括所述第一金属线的长度、宽度、第一间距、以及第二金属线对所述第一金属线的覆盖度，其中，所述第二金属线与所述第一金属线布置在相邻层中，所述第一间距是所述第一金属线与所述第一金属线相邻的第三金属线之间的间距；

根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与所述第一样本参数相对应的第一电容值；并根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第一寄生电容，其中，所述第一寄生电容是所述第一金属线与所述第三金属线之间的耦合电容；

根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与所述第二样本参数相对应的第二电容值；并根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第二寄生电容，其中，所述第二寄生电容是所述第一金属线与所述第二金属线之间的耦合电容；

根据所述第一金属线的金属方块电阻以及所述第一金属线的长度和宽度计算所述第一金属线的电阻；

根据所述第一寄生电容、所述第二寄生电容和所述第一金属线的电阻创建所述第一金属线的模拟电路单元；以及

仿真所述模拟电路单元。

2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，所述创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表的步骤包括：

创建包括第一样本金属线、多条第二样本金属线和第三样本金属线的版图，其中，所述第二样本金属线与所述第一样本金属线布置在相邻层中，所述第三样本金属线与所述第一样本金属线相邻，所述第一样本金属线的长度是所述单位长度，所述第一样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和第一样本间距，所述第二样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和所述第二样本金属线对所述第一样本金属线的覆盖度，所述第一样本间距是所述第一样本金属线与所述第三样本金属线的间距；

改变所述第一样本参数，从所述版图中分别提取所述第一样本金属线与所述第三样本金属线在每组第一样本参数下所对应的耦合电容值，以获得所述第一电容值，将多组第一样本参数与多个第一电容值一一映射，生成所述第一寄生电容数据表；

改变所述第二样本参数，从所述版图中分别提取所述第一样本金属线与所述第二样本金属线在每组第二样本参数下所对应的耦合电容值，以获得所述第二电容值，将多组第二样本参数与多个第二电容值一一映射，生成所述第二寄生电容数据表。

3.根据权利要求2所述的仿真方法，其特征在于，所述改变所述第一样本参数的步骤包括：

在第一样本金属线的宽度限值和第一样本间距限值的范围内，以预设宽度变化幅度和预设第一样本间距变化幅度，改变所述第一样本金属线的宽度和所述第一样本间距；以及

所述改变所述第二样本参数的步骤包括：

在所述第一样本金属线的宽度限值的范围内，以所述预设宽度变化幅度改变所述第一样本金属线的宽度。

4.根据权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，计算所述第一寄生电容的步骤包括：

当所述第一金属线的宽度超过所述宽度限值时，从所述第一寄生电容数据表中获取所述宽度限值和所述第一间距所对应的第一电容值，根据所述第一金属线的宽度与所述宽度限值的比例，按线性关系换算所述第一电容值，以获得所述第一寄生电容；以及

当所述第一间距超过所述第一样本间距限值时，从所述第一寄生电容数据表中获取所述第一样本间距限值和所述第一金属线的宽度所对应的第一电容值，根据所第一间距与所述第一样本间距限值的比例，按线性关系换算所述第一电容值，以获得所述第一寄生电容。