[发明专利]集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质

说明书

一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质。该方法包括：创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表；获取第一金属线的输入参数；根据输入参数从第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与第一样本参数相对应的第一电容值，并根据第一电容值计算出第一寄生电容；根据输入参数从第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与第二样本参数相对应的第二电容值，并根据第二电容值计算出第二寄生电容；计算第一金属线的电阻；根据第一寄生电容、第二寄生电容和第一金属线的电阻创建第一金属线的模拟电路单元；以及仿真该模拟电路单元。本发明可以缩减集成电路设计的开发周期，降低设计成本。

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

在集成电路设计中，我们都要进行(版图设计)前仿真和(版图设计)后仿真的流程。

通常在电路开发阶段(版图设计前)，不考虑金属线走线产生的寄生电容电阻的影响，只考虑电路功能上的设计，等到版图初步完成后，再提取寄生电容电阻，并将提取的寄生电容电阻添加到电路中进行后仿真和电路设计验证优化，如果验证失败，就要调整版图设计，直到验证通过，如图1所示。这种方法需要多次反复验证，增加了设计开发周期和成本。

发明内容

本发明实施例提供一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质，以至少解决现有技术中的以上技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种集成电路设计的仿真方法，包括：

创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表，其中，所述第一寄生电容数据表包括多组第一样本参数以及多个与所述第一样本参数相对应的第一电容值，所述第二寄生电容数据表包括多组第二样本参数以及多个与所述第二样本参数相对应的第二电容值；

获取第一金属线的输入参数，其中，所述输入参数包括所述第一金属线的长度、宽度、第一间距、以及第二金属线对所述第一金属线的覆盖度，其中，所述第二金属线与所述第一金属线布置在相邻层中，所述第一间距是所述第一金属线与所述第一金属线相邻的第三金属线之间的间距；

根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与所述第一样本参数相对应的第一电容值；并根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第一寄生电容，其中，所述第一寄生电容是所述第一金属线与所述第三金属线之间的耦合电容；

根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与所述第二样本参数相对应的第二电容值；并根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第二寄生电容，其中，所述第二寄生电容是所述第一金属线与所述第二金属线之间的耦合电容；

根据所述第一金属线的金属方块电阻以及所述第一金属线的长度和宽度计算所述第一金属线的电阻；

根据所述第一寄生电容、所述第二寄生电容和所述第一金属线的电阻创建所述第一金属线的模拟电路单元；以及

仿真所述模拟电路单元。

进一步地，所述创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表的步骤包括：

创建包括第一样本金属线、多条第二样本金属线和第三样本金属线的版图，其中，所述第二样本金属线与所述第一样本金属线布置在相邻层中，所述第三样本金属线与所述第一样本金属线相邻，所述第一样本金属线的长度是所述单位长度，所述版图包括第一样本参数和第二样本参数，所述第一样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和第一样本间距，所述第二样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和所述第二样本金属线对所述第一样本金属线的覆盖度，所述第一样本间距是所述第一样本金属线与所述第三样本金属线的间距；