[发明专利]电源驱动装置及随机存储器

权利要求书

1.一种用于驱动随机存储器中功能模块的电源驱动装置，其特征在于，包括：

驱动器，包括驱动PMOS管和驱动NMOS管，所述驱动PMOS管的源极与电源电压连接；所述驱动PMOS管的漏极与所述驱动NMOS管的漏极连接于第一节点，所述驱动NMOS管的源极接地，所述驱动NMOS管的栅极和所述驱动PMOS管的栅极连接与第二节点，所述第二节点作为所述驱动器的输入端用于接收第一控制信号，所述第一节点作为所述驱动器的输出端用于输出第二控制信号；以及

电源驱动模块，所述驱动器的输出端经由所述电源驱动模块与功能模块连接，所述电源驱动模块用于根据所述驱动器的输出端提供的第二控制信号来控制所述功能模块的工作状态；其中，所述驱动PMOS管的驱动强度与所述驱动NMOS管的驱动强度不同，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号控制所述电源驱动模块由导通到关闭的触发沿时间相比于所述电源驱动模块由关闭到导通触发沿时间延长。

2.根据权利要求1所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块导通和关闭的周期时间与所述驱动器消耗电流成反比，在所述电源驱动模块导通和关闭的周期时间与所述驱动器消耗电流成反比曲线的平缓处选取周期时间作为所述预定时间，所述平缓处的斜率为θ，其中，-0.01<θ<0。

3.根据权利要求2所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块的输入端连接电源电压，所述电源驱动模块的输出端连接所述功能模块。

4.根据权利要求3所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块包括多个PMOS管组成的阵列；

其中，所述驱动PMOS管的栅极长度大于所述驱动NMOS管的栅极长度，以使所述驱动PMOS管的驱动强度小于所述驱动NMOS管的驱动强度，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号由低电位上升至高电位的触发沿时间大于所述第一控制信号由高电位下降至低电位的触发沿时间，以延长所述PMOS管由导通到关闭的时间。

5.根据权利要求3所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块包括多个PMOS管组成的阵列；

其中，所述驱动PMOS管的有源区宽度小于所述驱动NMOS管的有源区宽度，以使所述驱动PMOS管的驱动强度小于所述驱动NMOS管的驱动强度，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号由低电位上升至高电位的触发沿时间大于所述第一控制信号由高电位下降至低电位的触发沿时间，以延长所述PMOS管由导通到关闭的时间。

6.根据权利要求3所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块包括多个PMOS管组成的阵列；

其中，所述驱动PMOS管的有源区宽度小于所述驱动NMOS管的有源区宽度且所述驱动PMOS管的栅极长度大于所述驱动NMOS管的栅极长度，以使所述驱动PMOS管的驱动强度小于所述驱动NMOS管的驱动强度，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号由低电位上升至高电位的触发沿时间大于所述第一控制信号由高电位下降至低电位的触发沿时间，以延长所述PMOS管由导通到关闭的时间。

7.根据权利要求2所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块的输入端连接所述功能模块低压端，所述电源驱动模块的输出端接地。

8.根据权利要求7所述的电源驱动装置，其特征在于，所述电源驱动模块包括多个NMOS管组成的阵列；

其中，所述驱动NMOS管的栅极长度大于所述驱动PMOS管的栅极长度，以使所述驱动NMOS管的驱动强度小于所述驱动PMOS管的驱动强度，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号由高电位下降至低电位的触发沿时间大于所述第一控制信号由低电位上升至高电位的触发沿时间，以延长所述NMOS管由导通到关闭的时间。