[发明专利]电源驱动装置及随机存储器

说明书

本发明提供一种用于驱动随机存储器中功能模块的电源驱动装置及随机存储器，随机存储器包括电源驱动装置，电源驱动装置包括驱动器和电源驱动模块，驱动器经由电源驱动模块与功能模块连接；驱动器包括驱动PMOS管和驱动NMOS管，驱动器用于当第一控制信号周期时间小于预定时间时，将输入的第一控制信号延时后输出第二控制信号至电源驱动模块，以延迟电源驱动模块由导通到关闭的触发沿时间，以延长功能模块的导通时间；本发明通过改变驱动器尺寸，以延长随机存储器中电源驱动模块的由导通到关闭的触发时间，以减少驱动器的频繁开启时的驱动器电流消耗。

技术领域

本发明涉及随机存储器，具体涉及一种用于驱动随机存储器中功能模块的电源驱动装置及随机存储器。

背景技术

随机存储器中通过串联晶体管来控制功能模块供电，但是串联的晶体管一般数目较大以满足模块工作时的电源要求，同时需要一个驱动器控制晶体管的开启和关闭；晶体管的开启和关闭，对驱动器而言，伴随着晶体管负载的充电和放电，且驱动器需要消耗电流。当功能模块在休闲和工作两种状态短时间内频繁切换时，晶体管也随之频繁的开启和关闭，当晶体管数目较大时，驱动器消耗的电流也增大，从而使随机存储器在该区域的电源需求造成负担，影响功能模块的功能。

发明内容

本发明提供一种用于驱动随机存储器中功能模块的电源驱动装置及随机存储器，以解决以上现有技术中的至少一项技术问题。

为达到上述目的，本发明一种用于驱动随机存储器中功能模块的电源驱动装置，包括：

驱动器，包括驱动PMOS管和驱动NMOS管，所述驱动PMOS管的源极与电源电压(VCC)连接；所述驱动PMOS管的漏极与所述驱动NMOS管的漏极连接于第一节点，所述驱动NMOS管的源极接地，所述驱动NMOS管的栅极和所述驱动PMOS管的栅极连接与第二节点，所述第二节点作为所述驱动器的输入端用于接收第一控制信号，所述第一节点作为所述驱动器的输出端用于输出第二控制信号；以及

电源驱动模块，所述驱动器的输出端经由所述电源驱动模块与所述功能模块连接，所述电源驱动模块用于根据所述驱动器的输出端提供的第二控制信号来控制所述功能模块的工作状态；

其中，所述驱动PMOS管的驱动强度与所述驱动NMOS管的驱动强度不同，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号控制所述电源驱动模块由导通到关闭的触发沿时间相比于所述电源驱动模块由关闭到导通触发沿时间延长。

一种实施例中，所述电源驱动模块导通和关闭的周期时间与所述驱动器消耗电流成反比，在所述电源驱动模块导通和关闭的周期时间与所述驱动器消耗电流成反比曲线的平缓处选取周期时间作为所述预定时间，所述平缓处的斜率为θ，其中，-0.01<θ<0。

一种实施例中，所述电源驱动模块的输入端连接电源电压，所述电源驱动模块的输出端连接所述功能模块。

一种实施例中，所述电源驱动模块包括多个PMOS管组成的阵列；

其中，所述驱动PMOS管的栅极长度大于所述驱动NMOS管的栅极长度，以使所述驱动PMOS管的驱动强度小于所述驱动NMOS管的驱动强度，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号由低电位上升至高电位的触发沿时间大于所述第一控制信号由高电位下降至低电位的触发沿时间，以延长所述PMOS管由导通到关闭的时间。

一种实施例中，所述电源驱动模块包括多个PMOS管组成的阵列；

其中，所述驱动PMOS管的有源区宽度小于所述驱动NMOS管的有源区宽度，以使所述驱动PMOS管的驱动强度小于所述驱动NMOS管的驱动强度，以使当所述第一控制信号周期时间小于预定时间时，所述第二控制信号由低电位上升至高电位的触发沿时间大于所述第一控制信号由高电位下降至低电位的触发沿时间，以延长所述PMOS管由导通到关闭的时间。