[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括：

开关TFT，包括源电极和漏电极；

驱动TFT，包括连接到所述漏电极的栅电极；

初始化电源线，连接到所述源电极并且用于传送初始化电源；

节点接触孔，设置在所述开关TFT的所述源电极处；以及

连接节点，

所述连接节点延伸穿过所述节点接触孔以与所述初始化电源线接触，并且延伸穿过所述节点接触孔以与所述开关TFT的所述源电极接触，

所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第一大致平坦表面上与所述初始化电源线直接接触，并且

所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第二大致平坦表面上与所述开关TFT的所述源电极直接接触，

其中，所述初始化电源线与所述开关TFT的所述源电极重叠并且与所述开关TFT的栅电极不重叠。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其中所述初始化电源线与所述开关TFT的所述源电极在所述第一大致平坦表面与所述第二大致平坦表面之间的重叠区处重叠。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，进一步包括：

栅绝缘层，位于所述初始化电源线与所述开关TFT的所述源电极和所述漏电极中的一个之间，并且

其中所述栅绝缘层和所述初始化电源线在所述重叠区处重叠。

4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，进一步包括：

层间绝缘层，位于所述初始化电源线与所述源电极和所述漏电极中的一个之间，并且

其中所述层间绝缘层不位于所述重叠区处。

5.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，进一步包括连接到所述开关TFT的电容器，并且其中所述开关TFT进一步包括有源层，并且其中所述电容器的第一电极与所述有源层位于相同的层中。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其中所述电容器的所述第一电极包括与所述有源层相同的材料。