[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备有效
申请号: | 201810360491.9 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN108538857B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 李元世 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/123;H10K59/12 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 车玉珠;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 包括 显示 设备 | ||
公开了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:第一导电层,选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极;第二导电层,位于与第一导电层不同的层中;以及连接节点,将第一导电层联接至第二导电层。这里,TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔,第一接触孔位于第一导电层中,并且第二接触孔位于第二导电层中,第二接触孔是与第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与第一接触孔分离,并且连接节点的至少一部分位于节点接触孔中。
本申请是申请日为2013年6月18日、申请号为201310241332.4、名称为“薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备”的发明专利申请的分案申请。
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2012年8月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0093295的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明的方面涉及薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。
背景技术
诸如有机发光显示设备和液晶显示设备之类的显示设备可以包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及联接TFT和电容器的导线。
显示设备可以通过在基板上形成TFT、电容器和导线的精细图案来制造,并且显示设备通过TFT、电容器和导线之间的复杂连接来操作。
随着对紧凑和高分辨率显示器的需求增加,越来越期望显示设备中包含的TFT、电容器和导线之间的高效空间布置和连接结构。
发明内容
本发明的一个或多个实施例包括具有高效的空间布置和连接结构的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。
根据本发明的方面,提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板,该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:第一导电层,选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极;第二导电层,位于与所述第一导电层不同的层中;以及连接节点,将所述第一导电层联接至所述第二导电层。这里,所述TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔,所述第一接触孔位于所述第一导电层中,并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中,所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离,并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。
所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。
所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。
根据本发明的一个或多个实施例,所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。
所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。
所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。
所述绝缘层可以包括:第一绝缘层,位于所述第一导电层与所述第二导电层之间;以及第二绝缘层,位于所述连接节点与所述第一导电层或所述第二导电层中较上面的导电层之间。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的