[发明专利]多通道NAND Flash控制器及移动存储设备

权利要求书

1.一种多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述多通道NAND Flash控制器包括MCU内核和分别对应Flash存储器的Flash主控；

所述MCU内核，用于获取主机发送的读写指令，将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，将所述Flash操作指令序列发送至对应的命令缓存器，并控制第一DMA控制器，完成主机和数据缓存器之间的数据写入和读取操作；

所述Flash主控，用于接收所述命令缓存器的Flash操作指令序列，根据所述Flash操作指令序列并控制第二DMA控制器，所述第二DMA控制器为与若干命令缓存器一一对应连接的DMA控制器，完成数据缓存器和Flash存储器之间的数据写入和读取操作。

2.如权利要求1所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述MCU内核，还用于获取所述主机发送的读写指令，将所述读写指令进行缓存、排队和合并处理。

3.如权利要求1所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述MCU内核，还用于获取所述主机发送的读写指令，根据预设算法将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，Flash操作指令序列包括Flash命令序列和对第二DMA控制器的传输控制指令，并将所述操作指令序列发送至与所述Flash主控对应的命令缓存器。

4.如权利要求1至3中任一项所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述Flash主控，还用于将数据缓存器的数据信息生成对应的纠错编码并将编码后的数据信息发送至所述Flash存储器。

5.如权利要求1至3中任一项所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述Flash主控，还用于接收所述Flash存储器获取的数据信息，并对所述获取数据信息纠错解码，并将纠错解码后的数据信息发送至数据缓存器。

6.如权利要求5所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述多通道NAND Flash控制器还包括：分别对应所述Flash主控的命令缓存器和数据缓存器；

所述命令缓存器，用于接收所述MCU内核发送的Flash操作指令序列；

所述数据缓存器，主机写入时用于接收所述主机发送的待写入数据信息，主机读取时用于接收所述Flash主控读取Flash存储器的数据信息。

7.如权利要求6所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述数据缓存器，用于在主机写入待写入数据时，接收所述主机发送的待写入数据，在主机读取数据时，获取所述Flash主控读取Flash存储器的数据信息。

8.如权利要求7所述的多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述第一DMA控制器，受控于MCU内核，执行所述MCU内核的传输控制指令，根据所述传输控制指令接收所述主机发送的数据信息并将数据信息写入所述数据缓存器或将所述数据缓存器的数据信息发送至所述主机；

所述第二DMA控制器，受控于Flash主控，还用于执行所述命令缓存器中的传输控制指令，根据所述传输控制指令将Flash存储器的数据读取到所述数据缓存器中或者将所述数据缓存器的数据写入Flash存储器。

9.如权利要求1至8中任一项所述的多通道NAND Flash控制器，所述MCU内核通过预设条数的控制线连接所述主机，所述Flash主控通过预设条数的数据线连接所述主机。

10.一种移动存储设备，所述移动存储设备包括Flash以及如权利要求1至9中任一项所述多通道NAND Flash控制器，所述多通道NAND Flash控制器连接所述Flash。