[发明专利]多通道NAND Flash控制器及移动存储设备

说明书

本发明公开了一种多通道NAND Flash控制器及移动存储设备，所述多通道NAND Flash控制器包括：MCU内核和分别对应Flash存储器的Flash主控；所述MCU内核，用于获取主机发送的读写指令，将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，将所述Flash操作指令序列写入命令缓存器，同时控制第一DMA控制器，完成Host和数据缓存器之间的数据写入和读取操作；所述Flash主控通过控制Flash存储器和第二DMA控制器，完成数据缓存器和Flash存储器之间的数据写入和读取操作。本发明提供的多通道NAND Flash控制器，通过与通用MCU的IO资源交互，完成对Flash的写入和读取操作，与其他存储主控需要复杂的接口协议相比，更简单灵活，降低了开发成本。

技术领域

本发明涉及存储控制器领域，尤其涉及一种多通道NAND Flash控制器及移动存储设备。

背景技术

目前市场上存在的Flash存储控制器，从接口类型上分类有通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)、嵌入式多媒体卡(Embedded Multi Media Card，EMMC)、快速文件系统(Unified File System，UFS)、串行高级技术附件(Serial AdvancedTechnology Attachment，SATA)和高速串行计算机扩展总线(Peripheral ComponentInterconnect Express，PCIE)等，单通道应用场景中，以上不同协议接口可以满足不同的速率要求。

考虑到需要扩展为多数据通路的应用场景，如场景系统中使用到不同厂商性能各异的控制器，并需要独立的数据存储和访问通路，在这种情况下的多种接口协议增加了整合系统的复杂度和开发难度，并且某些厂商的控制器没有存储主控的相对应的协议接口，加大了设计难度。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种多通道NAND Flash控制器及移动存储设备，旨在解决为多样的主机与Flash控制器主控间提供灵活通用的交互接口，降低开发成本的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种多通道NAND Flash控制器，所述多通道NANDFlash控制器包括MCU内核和分别对应Flash存储器的Flash主控；

所述MCU内核，用于获取主机发送的读写指令，将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，将所述Flash操作指令序列发送至对应的命令缓存器，并控制第一DMA控制器，完成主机和数据缓存器之间的数据写入和读取操作；

所述Flash主控，用于接收所述命令缓存器的Flash操作指令序列，根据所述Flash操作指令序列并控制第二DMA控制器，所述第二DMA控制器为与若干命令缓存器一一对应连接的DMA控制器，完成数据缓存器和Flash存储器之间的数据写入和读取操作。

优选地，所述MCU内核，还用于获取所述主机发送的读写指令，将所述读写指令进行缓存、排队和合并处理。

优选地，所述MCU内核，还用于获取所述主机发送的读写指令，根据预设算法将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，Flash操作指令序列包括Flash命令序列和对第二DMA控制器的传输控制指令，并将所述操作指令序列发送至与所述Flash主控对应的命令缓存器。

优选地，所述Flash主控，还用于将数据缓存器的数据信息生成对应的纠错编码并将编码后的数据信息发送至所述Flash存储器。

优选地，所述Flash主控，还用于接收所述Flash存储器获取的数据信息，并对所述获取数据信息纠错解码，并将纠错解码后的数据信息发送至数据缓存器。

优选地，所述多通道NAND Flash控制器还包括：分别对应所述Flash主控的命令缓存器和数据缓存器；

所述命令缓存器，用于接收所述MCU内核发送的Flash操作指令序列；