[发明专利]一种外壳的制造方法和外壳在审
| 申请号： | 201810367558.1 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108642461A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 冷雪翔 | 申请（专利权）人： | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京远志博慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11680 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 523841 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 真空腔 氮化硅膜层 二氧化硅膜层 氮气 透光基板 外观效果 氧气 陶瓷 制造 工艺参数调节 溅射成膜 终端技术 硅靶材 预设 申请 | ||
1.一种外壳的制造方法，其特征在于，包括：
将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内，并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值；
向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层；
向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层；
向所述磁控溅射真空腔内充入氮气，在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层；
向所述磁控溅射真空腔内充入氧气，在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设值，包括：
加速电压：300-800伏；磁场强度：50-300高斯；气压1-10毫托；电流密度：4-60毫安/平方厘米；功率密度：1-40瓦/平方厘米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过磁控溅射工艺在所述第二二氧化硅膜层上形成类金刚石DLC膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过蒸镀工艺在所述DLC膜层上形成防指纹AF膜层；
所述蒸镀工艺的参数为：温度：60摄氏度、开镀真空度：3*10-5托、蒸发速率：1纳米/秒。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过喷涂工艺在所述透光基板的第二面上形成油墨层。
6.一种外壳，其特征在于，包括：
透光基板、设置于所述透光基板的第一面上的第一氮化硅膜层、设置于所述第一氮化硅膜层上的第一二氧化硅膜层、设置于所述第一二氧化硅膜层上的第二氮化硅膜层、设置于所述第二氮化硅膜层上的第二二氧化硅膜层。
7.根据权利要求6所述的外壳，其特征在于，所述第一氮化硅膜层、所述第一二氧化硅膜层、所述第二氮化硅膜层以及所述第二二氧化硅膜层的厚度之和为200-400纳米。
8.根据权利要求6所述的外壳，其特征在于，所述外壳还包括：
设置于所述第二二氧化硅膜层上的类金刚石DLC膜层，所述DLC膜层的厚度为10-30纳米。
9.根据权利要求6所述的外壳，其特征在于，所述外壳还包括：
设置于所述DLC膜层上的防指纹AF膜层，所述AF膜层的材料为氟化物；所述AF膜层的厚度为10-20纳米。
10.根据权利要求6所述的外壳，其特征在于，所述外壳还包括：
设置于所述透光基板的第二面上的油墨层，所述油墨层的厚度为10-30微米。
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