[发明专利]制备多层陶瓷电子元件的方法有效
| 申请号： | 201810372105.8 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108597868B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 全炳俊;李圭夏;具贤熙;金昶勋;朴明俊 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/012 | 分类号： | H01G4/012;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 祝玉媛;金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 多层 陶瓷 电子元件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备多层陶瓷电子元件的方法，该方法包括：
制备含有玻璃的用于外部电极的浆糊；
通过使用用于外部电极的浆糊在烧结的陶瓷主体上形成外部电极，内部电极层压在烧结的陶瓷主体中；以及
烧结所述外部电极，使得外部电极中包含的玻璃扩散或渗透到陶瓷主体中，从而自所述内部电极和所述外部电极之间的接触面向烧结的陶瓷主体的内部形成缓冲层，
其中，在用于外部电极的浆糊的制备过程中，通过调节玻璃中含有的碱金属和氧化钒的含量控制所述缓冲层的厚度，
其中，所述缓冲层被定义为检测到硼的区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部电极含有的导电金属的扩散速率大于所述内部电极含有的导电金属的扩散速率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱金属为选自由锂、钠、钾、铷和铯组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过增加碱金属和氧化钒的含量增加所述缓冲层的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过降低碱金属和氧化钒的含量降低所述缓冲层的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述外部电极的烧结过程中，通过在玻璃的软化点或更高的温度下调节升温速率控制所述缓冲层的厚度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，增大升温速率以降低所述缓冲层的厚度。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，降低升温速率以增大所述缓冲层的厚度。
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